[發(fā)明專利]制造半導體裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810972832.8 | 申請日： | 2018-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN109841532A | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊國男;羅婉瑜;王中興;H·比斯瓦思 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;G06F9/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蔣林清 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 引腳單元 電路單元 半導體裝置 負載電容 電路 電容 替換 制造 分析 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：
提供具有多個電路單元的第一電路；
分析連接所述多個電路單元中的第一電路單元與第二電路單元的第一引腳單元上的負載電容以確定所述第一引腳單元的所述負載電容是否大于第一預定電容；
當所述負載電容大于所述第一預定電容時，由第二引腳單元替換所述第一引腳單元以產(chǎn)生第二電路，其中所述第二引腳單元不同于所述第一引腳單元；以及
根據(jù)所述第二電路而產(chǎn)生所述半導體裝置。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
