[發(fā)明專利]用于晶片處理總成的過濾器元件、包含其的晶片處理總成及清潔來自所述總成的排氣的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810972248.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109550333A | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·費(fèi)雷拉;J·蘭姆;A·莫迪;D·甘特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 威科儀器有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01D46/52 | 分類號(hào): | B01D46/52 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 張曉媛 |
| 地址: | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片處理 褶裥 過濾器元件 晶片處理系統(tǒng) 過濾器 過濾元件 褶狀 排氣 平衡過濾 氣態(tài)流體 有效面積 清潔 申請(qǐng)案 橋接 過濾 優(yōu)化 污染物 | ||
本申請(qǐng)案涉及用于晶片處理總成的過濾元件、包含所述過濾元件的晶片處理總成以及清潔來自所述總成的排氣的方法。本發(fā)明提供用于晶片處理系統(tǒng)的氣態(tài)流體(例如空氣)過濾的過濾器元件。所述過濾器元件具有不大于7的褶裥比,其中所述褶裥比是褶狀部分?jǐn)?shù)目/所述過濾器的平均直徑。通過具有不大于7且在一些實(shí)施中還大于5的褶裥比,所述過濾器經(jīng)優(yōu)化以用于晶片處理系統(tǒng)及方法。此褶裥比優(yōu)化褶狀部分之間的間距,因此平衡過濾介質(zhì)面積與有效面積,如可能由于污染物橋接引起的損失。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明針對(duì)用于晶片處理系統(tǒng)的過濾元件。
背景技術(shù)
過濾器元件長(zhǎng)期用于從流體物料流去除顆粒材料,所述流體物料流包括如空氣的氣態(tài)流體物料流。取決于特定實(shí)施和所需的過濾器元件的性能,過濾器元件的設(shè)計(jì)、配置和/或構(gòu)造將不同。
發(fā)明內(nèi)容
本文中所描述的技術(shù)涉及用于晶片處理系統(tǒng)的氣態(tài)流體(例如空氣)過濾的過濾器元件。所述過濾器元件具有不大于7的褶裥比,其中所述褶裥比是褶狀部分?jǐn)?shù)目/過濾器的平均直徑。
本文中所描述的一個(gè)特定實(shí)施是氣態(tài)流體過濾器元件,其具有從第一端延伸到與第一端相對(duì)的第二端的過濾介質(zhì)的延伸部分,所述過濾介質(zhì)形成環(huán)繞過濾器元件周向性地延伸的多個(gè)褶狀部分,所述多個(gè)褶狀部分界定內(nèi)徑和外徑,其中所述過濾器元件具有不大于7,在其它實(shí)施中不大于6.5的褶裥比。在一些實(shí)施中,褶裥比至少為5。
本文中所描述的另一特定實(shí)施是其中具有過濾器元件的晶片處理總成,所述過濾器元件用于過濾來自泵上游處理腔室的氣態(tài)排氣。過濾器元件包含從第一端延伸到與第一端相對(duì)的第二端的過濾介質(zhì)的延伸部分,所述過濾介質(zhì)形成環(huán)繞過濾器元件周向性地延伸的多個(gè)褶狀部分,所述多個(gè)褶狀部分界定內(nèi)徑和外徑,其中所述過濾器元件具有不大于7的褶裥比。
本文中所描述的又一特定實(shí)施是清潔晶片處理總成中排氣的方法。所述方法包括使來自晶片處理總成的處理腔室的氣氛穿過具有不大于7的褶裥比的過濾器元件以形成過濾排氣,以及泵送過濾排氣。
此等和各種其它實(shí)施、特征和優(yōu)勢(shì)將從閱讀以下詳細(xì)描述顯而易見。
提供此發(fā)明內(nèi)容來以簡(jiǎn)化形式引入下文在具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述的概念選擇。本發(fā)明內(nèi)容并非意圖鑒別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或基本特征,也并非意圖用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。
附圖說明
圖1是通用晶片處理總成的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。
圖2是過濾器元件的示意性橫斷面俯視圖。
圖3是過濾器元件配置的側(cè)透視圖。
具體實(shí)施方式
本說明書涉及用于晶片處理總成和/或系統(tǒng)的流體過濾器,確切地說氣體(例如空氣)過濾器。晶片處理系統(tǒng)可以是例如化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition;CVD)系統(tǒng)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(metal organic CVD;MOCVD)系統(tǒng)、離子束沉積系統(tǒng)、離子束濺鍍系統(tǒng)、化學(xué)蝕刻系統(tǒng)、離子研磨系統(tǒng)、物理氣相沉積(physical vapor deposition;PVD)系統(tǒng)、類金剛石碳(diamond-like carbon;DLC)沉積系統(tǒng)、或其它處理系統(tǒng)。
在以下描述中,參看附圖,附圖形成描述的一部分,且其中借助于說明具體實(shí)施來展示。所述描述提供額外的具體實(shí)施。應(yīng)理解,在不脫離本發(fā)明的范圍或精神的情況下,涵蓋并且可以作出其它實(shí)施。因此,以下詳細(xì)描述不應(yīng)在限制性意義上理解。雖然本發(fā)明不限于此,但將通過論述下文提供的實(shí)例來獲得對(duì)本發(fā)明的各個(gè)方面的理解。
如本文中所使用,除非內(nèi)容另外明確規(guī)定,否則單數(shù)形式“一”和“所述”涵蓋具有多個(gè)指代物的實(shí)施例。除非內(nèi)容另外明確規(guī)定,否則如本說明書和所附權(quán)利要求書中所使用,術(shù)語“或”通常在其意義上用來包括“和/或”。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于威科儀器有限公司,未經(jīng)威科儀器有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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