[發(fā)明專(zhuān)利]用于晶片處理總成的過(guò)濾器元件、包含其的晶片處理總成及清潔來(lái)自所述總成的排氣的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810972248.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109550333A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·費(fèi)雷拉;J·蘭姆;A·莫迪;D·甘特
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 威科儀器有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B01D46/52
• 分類(lèi)號(hào): B01D46/52
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張曉媛

1.一種用于晶片處理系統(tǒng)的氣態(tài)流體過(guò)濾器元件，所述過(guò)濾器元件包含從第一端延伸到與所述第一端相對(duì)的第二端的過(guò)濾介質(zhì)的延伸部分，所述過(guò)濾介質(zhì)形成環(huán)繞所述過(guò)濾器元件周向性地延伸的多個(gè)褶狀部分，所述多個(gè)褶狀部分界定內(nèi)徑和外徑，其中所述過(guò)濾器元件具有不大于7的褶裥比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)濾器元件，其具有穿過(guò)所述過(guò)濾介質(zhì)的徑向向內(nèi)氣態(tài)流體流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)濾器元件，其中所述褶裥比不大于6.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)濾器元件，其中所述褶裥比不大于6。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)濾器元件，其中所述褶裥比至少為5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)濾器元件，其中所述褶裥比為5到6。

7.一種其中具有過(guò)濾器元件的晶片處理總成，所述過(guò)濾器元件用于過(guò)濾來(lái)自泵上游處理腔室的氣態(tài)排氣，所述過(guò)濾器元件包含從第一端延伸到與所述第一端相對(duì)的第二端的過(guò)濾介質(zhì)的延伸部分，所述過(guò)濾介質(zhì)形成環(huán)繞所述過(guò)濾器元件周向性地延伸的多個(gè)褶狀部分，所述多個(gè)褶狀部分界定內(nèi)徑和外徑，其中所述過(guò)濾器元件具有不大于7的褶裥比。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理總成，其中所述過(guò)濾器元件以與穿過(guò)所述過(guò)濾器元件的徑向向內(nèi)氣態(tài)流動(dòng)路徑水平的位置取向。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理總成，其中所述褶裥比不大于6.5。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理總成，其中所述褶裥比不大于6。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理總成，其中所述褶裥比至少為5。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片處理總成，其中所述總成是MOCVD總成。

13.一種清潔晶片處理總成中排氣的方法，其包含：

使氣氛從所述晶片處理總成的處理腔室穿過(guò)具有不大于7的褶裥比的過(guò)濾器元件以形成過(guò)濾排氣，以及

泵送所述過(guò)濾排氣。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包含將所述過(guò)濾排氣從所述晶片處理總成泵出。