[發(fā)明專利]一種白光LED芯片的制作方法

有效

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• 申請日: 2018-08-24
• 公開（公告）號: CN109244195B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 王孟源;曾偉強;董挺波
• 申請（專利權）人: 佛山市中昊光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種白光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供LED外延和熒光板，所述LED外延包括生長襯底和生長于所述生長襯底上的發(fā)光層，其中，發(fā)光層包括依次設置的N-GaN層、量子井層以及P-GaN層，N-GaN層與所述生長襯底相互連接；

熒光板由熒光粉與透明耐高溫材料相互混合并成形；

S2、設置支撐襯底，通過粘結膠或高溫燒結的方式，將所述支撐襯底安裝于所述LED外延上，得到具有支撐襯底的LED外延；

所述發(fā)光層的P-GaN層與支撐襯底相接觸；

S3、剝離生長襯底，將所述生長襯底從具有支撐襯底的LED外延上剝離下來；得到具有支撐襯底的發(fā)光層；

S4、將所述熒光板安裝于具有支撐襯底的發(fā)光層上，得到具有支撐襯底的白光LED外延；

所述發(fā)光層的N-GaN層與所述熒光板相接觸；

S5、剝離支撐襯底，使得支撐襯底與發(fā)光層相互分離，得到待成形白光LED外延；

S6、設置電極，在待成形白光LED外延的P-GaN層表面設置P電極，通過過孔的方式，在N-GaN層形成N電極，得到成型的白光LED芯片；

所述透明耐高溫材料為藍寶石、玻璃、石英晶體或碳化硅中的一種；

所述熒光粉為黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉中的一種或多種。

2.根據(jù)權利要求1所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述生長襯底為藍寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底或氮化鎵襯底中的一種。

3.根據(jù)權利要求1所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于，S4步驟中，通過粘結膠或高溫燒結的方式，將所述熒光板安裝于具有支撐襯底的發(fā)光層上。

4.根據(jù)權利要求1所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于，S5步驟中，通過高溫分解的方式，將粘結膠分解成氣體。

5.一種白光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、LED晶圓片和熒光板，所述LED晶圓片包括依次設置的生長襯底、發(fā)光層、歐姆接觸層、絕緣層以及電極層，其中，發(fā)光層包括依次設置的N-GaN層、量子井層以及P-GaN層，N-GaN層與所述生長襯底相互連接；

熒光板由熒光粉與透明耐高溫材料相互混合并成形；

S2、設置支撐襯底，通過粘結膠或高溫燒結的方式，將所述支撐襯底安裝于所述LED晶圓片上，得到具有支撐襯底的LED晶圓片；

所述電極層與支撐襯底相接觸；

S3、剝離生長襯底，將所述生長襯底從具有支撐襯底的LED晶圓片上剝離下來，得到剝離生長襯底的LED晶圓片；

S4、將所述熒光板安裝于剝離生長襯底的LED晶圓片上，得到LED外延；

所述LED外延的N-GaN層與所述熒光板相接觸；

S5、剝離支撐襯底，使得支撐襯底與電極層相互分離，得到待成形白光LED芯片；

S6、切割待成形白光LED芯片，將所有待成形LED芯片，得到成型的白光LED芯片。

6.根據(jù)權利要求5所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于，S4步驟中，通過粘結膠或高溫燒結的方式，將所述熒光板安裝于剝離生長襯底的LED晶圓片上。