[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810971126.1
• 申請日: 2018-08-24
• 公開（公告）號: CN109494240B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成宇鏞;尹昇好;崔原瑀
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/131
• 分類號: H10K59/131
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張敏;劉潤蓓

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基底，包括用光顯示圖像的顯示區(qū)域、與所述顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域以及在所述基底中位于所述基底的所述非顯示區(qū)域中的凹槽；

發(fā)光元件，產(chǎn)生并發(fā)射所述光，所述發(fā)光元件在所述基底上設(shè)置在所述基底的所述顯示區(qū)域中；以及

共電壓傳輸線，共電壓通過所述共電壓傳輸線傳輸?shù)剿鲲@示區(qū)域，所述共電壓傳輸線在所述基底上設(shè)置在所述基底的所述非顯示區(qū)域中，

其中，

所述基底在所述基底的所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域中的每個(gè)中還包括第一絕緣膜以及設(shè)置在所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜，并且

所述凹槽在朝向所述第一絕緣膜的方向上延伸到所述第二絕緣膜中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，

所述共電壓傳輸線與位于所述基底中的所述凹槽疊置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，

所述發(fā)光元件包括電極層，所述共電壓通過所述電極層傳輸?shù)剿霭l(fā)光元件，并且

所述發(fā)光元件的所述電極層在與所述凹槽疊置的位置處與所述共電壓傳輸線接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，

位于所述基底中的所述凹槽僅延伸到所述第二絕緣膜中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，

所述基底還包括第一阻擋膜，所述第一阻擋膜設(shè)置在所述第一絕緣膜與所述第二絕緣膜之間，并且

位于所述基底中的所述凹槽穿過所述第二絕緣膜并延伸到所述第一阻擋膜中。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，

位于所述基底中的所述凹槽穿過所述第二絕緣膜并延伸到所述第一絕緣膜中。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，在所述基底的所述非顯示區(qū)域中，

位于所述基底中的所述凹槽為多個(gè)，

所述共電壓傳輸線與位于所述基底中的所述凹槽中的每個(gè)疊置，并且

所述發(fā)光元件的所述電極層在分別與所述凹槽疊置的位置中的每個(gè)位置處與所述共電壓傳輸線接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，

位于所述基底中的所述凹槽僅延伸到所述第二絕緣膜中。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，

所述基底還包括第一阻擋膜，所述第一阻擋膜設(shè)置在所述第一絕緣膜與所述第二絕緣膜之間，并且

位于所述基底中的所述凹槽穿過所述第二絕緣膜并延伸到所述第一阻擋膜中。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，

位于所述基底中的所述凹槽穿過所述第二絕緣膜并延伸到所述第一絕緣膜中。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，在所述基底的所述非顯示區(qū)域中，

位于所述基底中的所述凹槽為多個(gè)，并且

所述共電壓傳輸線與位于所述基底中的所述凹槽中的每個(gè)疊置。

12.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基底，包括第一絕緣膜、設(shè)置在所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜以及在朝向所述第一絕緣膜的方向上延伸到所述第二絕緣膜中的凹槽；

像素，在所述像素處顯示圖像；以及

共電壓傳輸線，共電壓通過所述共電壓傳輸線傳輸?shù)剿鱿袼兀龉搽妷簜鬏斁€設(shè)置在所述基底上，

其中，

所述共電壓傳輸線與位于所述基底中的所述凹槽疊置，并且

所述共電壓傳輸線在與所述凹槽疊置的位置處連接到所述像素。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，

位于所述基底中的所述凹槽僅延伸到所述第二絕緣膜中。