[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810971126.1 | 申請日： | 2018-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN109494240B | 公開（公告）日： | 2023-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 成宇鏞;尹昇好;崔原瑀 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H10K59/131 | 分類號： | H10K59/131 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 張敏;劉潤蓓 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括：基底，包括用光顯示圖像的顯示區(qū)域、與顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域以及在基底中位于基底的非顯示區(qū)域中的凹槽；發(fā)光元件，產(chǎn)生并發(fā)射光，發(fā)光元件在基底上設(shè)置在基底的顯示區(qū)域中；以及共電壓傳輸線，共電壓通過共電壓傳輸線傳輸?shù)斤@示區(qū)域，共電壓傳輸線在基底上設(shè)置在基底的非顯示區(qū)域中。基底在基底的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域中的每個中還包括第一絕緣膜和設(shè)置在第一絕緣膜上的第二絕緣膜。凹槽在朝向第一絕緣膜的方向上延伸到第二絕緣膜中。
本申請要求于2017年9月12日提交的第10-2017-0116836號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和從其獲得的全部權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種顯示裝置，詳細(xì)地，涉及一種顯示裝置，其減小共電壓傳輸線的接觸電阻，而不擴展共電壓通過共電壓傳輸線傳輸?shù)降耐鈬糠值膶挾取?/p>
背景技術(shù)
顯示裝置包括液晶顯示器(“LCD”)、等離子體顯示面板(“PDP”)、有機發(fā)光二極管顯示器(“OLED”)、場效應(yīng)顯示器(“FED”)、電泳顯示器等。
有機發(fā)光二極管顯示器包括兩個電極和置于兩個電極之間的有機發(fā)射層。從作為兩個電極中的一個的陰極注入的電子和從作為兩個電極中的另一個的陽極注入的空穴在有機發(fā)射層中彼此結(jié)合以形成激子，并且在激子釋放能量的同時發(fā)射光。
在有機發(fā)光二極管顯示器中，每個單元像素包括諸如開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管的開關(guān)元件、電容器和有機發(fā)光二極管。驅(qū)動電壓從驅(qū)動電壓線提供到驅(qū)動薄膜晶體管和電容器，并且驅(qū)動薄膜晶體管用于控制通過驅(qū)動電壓線流向有機發(fā)光二極管的電流。另外，連接到作為陰極的共電極的共電壓線將共電壓提供到陰極，使得在共電極和作為陽極的像素電極之間形成電位差，使得電流流動。
共電壓通過共電極與共電壓傳輸線之間的設(shè)置在有機發(fā)光二極管顯示器的外圍部分處的接觸區(qū)域中的接觸傳輸?shù)焦搽姌O。
發(fā)明內(nèi)容
示例性實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置減小了共電壓傳輸線的接觸電阻，而沒有擴展顯示裝置的顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域的平面寬度。
根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括：基底，包括用光顯示圖像的顯示區(qū)域、與顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域以及在基底中位于基底的非顯示區(qū)域中的凹槽；發(fā)光元件，產(chǎn)生并發(fā)射光，發(fā)光元件在基底上設(shè)置在基底的顯示區(qū)域中；以及共電壓傳輸線，共電壓通過共電壓傳輸線傳輸?shù)斤@示區(qū)域，共電壓傳輸線在基底上設(shè)置在基底的非顯示區(qū)域中。基底在基底的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域中的每個中還包括第一絕緣膜和設(shè)置在第一絕緣膜上的第二絕緣膜。凹槽在朝向第一絕緣膜的方向上延伸到第二絕緣膜中。
共電壓傳輸線可與凹槽疊置。
發(fā)光元件可包括電極層，并且電極層可以在與凹槽疊置的位置處與共電壓傳輸線接觸。
位于基底中的凹槽可僅延伸到第二絕緣膜中。
基底還可包括設(shè)置在第一絕緣膜與第二絕緣膜之間的第一阻擋膜，并且凹槽可穿過第二絕緣膜并延伸到第一阻擋膜中。
基底的凹槽可穿過第二絕緣膜并可延伸到第一絕緣膜中。
凹槽可形成為多個。
根據(jù)示例性實施例的顯示裝置包括：基底，包括第一絕緣膜、設(shè)置在第一絕緣膜上的第二絕緣膜以及在朝向第一絕緣膜的方向上延伸到第二絕緣膜中的凹槽；像素，在像素處顯示圖像；以及共電壓傳輸線，共電壓通過共電壓傳輸線傳輸?shù)较袼兀搽妷簜鬏斁€設(shè)置在基底上。共電壓傳輸線與形成在基底中的凹槽疊置，并且共電壓傳輸線在與凹槽疊置的位置處連接到像素。
根據(jù)一個或更多個示例性實施例，可以增加共電壓傳輸線與共電極之間的表面接觸面積而不擴展顯示裝置的顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域的寬度，從而減小共電壓傳輸線的接觸電阻。
附圖說明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司，未經(jīng)三星顯示有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810971126.1/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：顯示面板及其制造方法
- 下一篇：柔性O(shè)LED顯示面板及其制備方法
