[發(fā)明專利]測定裝置、測定方法以及等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810969328.2
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN109427531B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤雅紀(jì);樫村龍成;綱本哲;大崎良規(guī);荒金俊行
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發(fā)明提供一種能夠簡易地進(jìn)行等離子體的自偏壓(V_dc)的測定的測定裝置、測定方法以及等離子體處理裝置。所述測定裝置具有：切換部，其對配置在等離子體處理裝置內(nèi)的靜電卡盤內(nèi)且被施加直流電壓的所述電極的連接進(jìn)行切換；具有靜電電容的構(gòu)件，其與所述切換部連接；以及測定部，其測定與所述具有靜電電容的構(gòu)件中蓄積的電荷量相當(dāng)?shù)闹怠?/p>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種測定裝置、測定方法以及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在等離子體處理裝置內(nèi)進(jìn)行的蝕刻、成膜等等離子體處理中，為了控制蝕刻速率、成膜速率，掌握等離子體的狀態(tài)尤為重要。因此，提出有一種測定自偏壓V_dc以測定等離子體的狀態(tài)的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1、2)。

專利文獻(xiàn)1利用不與等離子體直接接觸的設(shè)備來間接地進(jìn)行自偏壓V_dc的測定。在專利文獻(xiàn)1中，設(shè)備被設(shè)置在處理容器壁內(nèi)，測定對設(shè)備內(nèi)的通過電介質(zhì)而絕緣的電極施加的電壓，根據(jù)該測定電壓，將各寄生電容考慮在內(nèi)地計(jì)算自偏壓V_dc。

在專利文獻(xiàn)2中，將自偏壓V_dc的測定電路組裝到匹配器中，將測定電路的輸入電阻設(shè)為相比噴頭的電阻值而言足夠大的值，利用測定電路來進(jìn)行自偏壓V_dc的測定。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-148374號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2006-93342號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，在上述方法中需要變更裝置或電路的設(shè)計(jì)，無法簡易地進(jìn)行自偏壓V_dc的測定。例如，在專利文獻(xiàn)1中，為了將設(shè)備設(shè)置在處理容器壁內(nèi)，對處理容器壁進(jìn)行機(jī)械加工。另外，測定用的探針位于從作為測定對象的等離子體離開的位置，因此測定的靈敏度和精度變低。在專利文獻(xiàn)2中，需要將自偏壓V_dc的測定電路組裝到匹配器中，從而需要變更等離子體處理裝置的設(shè)計(jì)。

根據(jù)以上內(nèi)容，在專利文獻(xiàn)1、2中，為了組入用于進(jìn)行自偏壓V_dc的測定的探針、測定電路，需要變更等離子體處理裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)、變更高頻電路(匹配器)，有時(shí)測定缺乏通用性和簡易性。

針對上述課題，本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面的目的在于簡易地進(jìn)行等離子體的自偏壓V_dc的測定。

用于解決問題的方案

為了解決上述課題，根據(jù)一個(gè)方式，提供一種測定裝置，所述測定裝置具有：切換部，其對配置在等離子體處理裝置內(nèi)的靜電卡盤內(nèi)且被施加直流電壓的電極的連接進(jìn)行切換；具有靜電電容的構(gòu)件，其與所述切換部連接；以及測定部，其測定與所述具有靜電電容的構(gòu)件中蓄積的電荷量相當(dāng)?shù)闹怠?/p>

發(fā)明的效果

根據(jù)一個(gè)側(cè)面，能夠簡易地進(jìn)行等離子體的自偏壓V_dc的測定。

附圖說明

圖1是用于說明自偏壓的圖。

圖2是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的等離子體處理裝置和測定裝置的一例的圖。

圖3是用于說明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的自偏壓的測定定時(shí)的圖。

圖4是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的自偏壓的測定定序的一例的圖。

圖5是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的自偏壓的測定定序的一例的圖。

圖6是表示在一個(gè)實(shí)施方式所涉及的自偏壓的計(jì)算中使用的模型的一例的圖。