[發明專利]光掩膜版保護膜的去除系統及方法在審
| 申請號: | 201810967179.6 | 申請日: | 2018-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN110858057A | 公開(公告)日: | 2020-03-03 |
| 發明(設計)人: | 高丁山 | 申請(專利權)人: | 芯恩(青島)集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82;G03F1/48 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 266000 山東省青島市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩膜版 保護膜 去除 系統 方法 | ||
本發明提供一種光掩膜版保護膜的去除系統及方法,光掩膜版保護膜的去除系統包括:氣罩,底部設有凹槽,頂部設有與所述凹槽相連通的通孔;抽真空裝置;吸氣管路,一端經由所述通孔與所述凹槽相連通,另一端與所述抽真空裝置相連接。本發明的光掩膜版保護膜的去除系統可以在去除光掩膜版上的保護膜時先采用真空抽氣的方式去除保護膜層,然后再去除環形邊框,這樣在保護膜去除的過程中就不會有保護膜層掉落在光掩膜版上,不會對光掩膜版造成污染,從而提升良率,節約成本。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,特別是涉及一種光掩膜版保護膜的去除系統及方法。
背景技術
現有技術中,為了防止對光掩膜版的圖形區域造成污染,光掩膜版的表面都會設置保護膜(Pellice)用于對所述光掩膜版進行保護,所述保護膜包括環形邊框及覆蓋于所述環形邊框上的保護膜層。在所述光掩膜版使用的過程中,需要定期對所述光掩膜版進行維護清洗,此時,需要去除位于所述光掩膜版上的所述保護膜;現有的方法一般為將表面設有所述保護膜的所述光掩膜版加熱后或未進行加熱直接整體拆除所述保護膜(即將所述環形邊框及所述保護膜層一起拆除),然后,采用上述方式拆除所述保護膜的過程中,所述保護膜層容易破裂掉落在所述光掩膜版的圖形區域而污染所述光掩膜版,從而造成所述光掩膜版的報廢。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種光掩膜版保護膜的去除系統及方法,用于解決現有技術中的拆除保護模時保護膜層容易掉落在光掩膜版的圖形區域而污染光掩膜版,從而造成光掩膜版報廢的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種光掩膜版保護膜的去除系統,所述光掩膜版保護膜的去除系統用于去除光掩膜版的保護膜,所述光掩膜版保護膜的去除系統包括:
氣罩,底部設有凹槽,頂部設有與所述凹槽相連通的通孔;
抽真空裝置;
吸氣管路,一端經由所述通孔與所述凹槽相連通,另一端與所述抽真空裝置相連接。
優選地,所述抽真空裝置包括真空泵。
優選地,所述光掩膜版保護膜的去除系統還包括開關閥,所述開關閥位于所述吸氣管路上。
優選地,所述開關閥位于所述吸氣管路與所述氣罩的連接處。
優選地,所述凹槽的形狀與所述保護膜的形狀相同,且所述凹槽的尺寸大于所述保護膜的尺寸。
優選地,所述氣罩的形狀與所述光掩膜版的形狀相同,且所述氣罩的尺寸與所述光掩膜版的尺寸相同;所述凹槽的尺寸小于所述光掩膜版的尺寸。
本發明還提供一種光掩膜版保護膜的去除方法,所述光掩膜版保護膜的去除方法包括如下步驟:
1)提供一光掩膜版,所述光掩膜版的表面設置有保護膜,所述保護膜包括位于所述光掩膜版的圖形區域外圍的環形邊框及覆蓋于所述環形邊框上的保護膜層;
2)采用真空抽氣的方式去除所述保護膜層;
3)將所述環形邊框從所述光掩膜版上去除。
優選地,步驟2)中,采用真空吸附的方式去除所述保護膜層包括如下步驟:
2-1)提供一如上述任一方案中的所述的光掩膜版保護膜的去除系統;
2-2)將所述氣罩扣置于所述光掩膜版上;
2-3)使用所述抽真空裝置抽氣,以在所述保護膜層表面形成吸力,從而去除所述保護膜層。
優選地,步驟2)與步驟3)之間還包括如下步驟:
將所述氣罩從所述光掩膜版上方移開;
所述抽真空裝置停止抽氣。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于芯恩(青島)集成電路有限公司,未經芯恩(青島)集成電路有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810967179.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:復合涂料及其制備方法和用途
- 下一篇:換擋裝置和變速器
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





