[發明專利]光掩膜版保護膜的去除系統及方法在審
| 申請號: | 201810967179.6 | 申請日: | 2018-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN110858057A | 公開(公告)日: | 2020-03-03 |
| 發明(設計)人: | 高丁山 | 申請(專利權)人: | 芯恩(青島)集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82;G03F1/48 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 266000 山東省青島市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩膜版 保護膜 去除 系統 方法 | ||
1.一種光掩膜版保護膜的去除系統,其特征在于,所述光掩膜版保護膜的去除系統用于去除光掩膜版的保護膜,所述光掩膜版保護膜的去除系統包括:
氣罩,底部設有凹槽,頂部設有與所述凹槽相連通的通孔;
抽真空裝置;
吸氣管路,一端經由所述通孔與所述凹槽相連通,另一端與所述抽真空裝置相連接。
2.根據權利要求1所述的光掩膜版保護膜的去除系統,其特征在于,所述抽真空裝置包括真空泵。
3.根據權利要求1所述的光掩膜版保護膜的去除系統,其特征在于,所述光掩膜版保護膜的去除系統還包括開關閥,所述開關閥位于所述吸氣管路上。
4.根據權利要求3所述的光掩膜版保護膜的去除系統,其特征在于,所述開關閥位于所述吸氣管路與所述氣罩的連接處。
5.根據權利要求1所述的光掩膜版保護膜的去除系統,其特征在于,所述凹槽的形狀與所述保護膜的形狀相同,且所述凹槽的尺寸大于所述保護膜的尺寸。
6.根據權利要求5所述的光掩膜版保護膜的去除系統,其特征在于,所述氣罩的形狀與所述光掩膜版的形狀相同,且所述氣罩的尺寸與所述光掩膜版的尺寸相同;所述凹槽的尺寸小于所述光掩膜版的尺寸。
7.一種光掩膜版保護膜的去除方法,其特征在于,所述光掩膜版保護膜的去除方法包括如下步驟:
1)提供一光掩膜版,所述光掩膜版的表面設置有保護膜,所述保護膜包括位于所述光掩膜版的圖形區域外圍的環形邊框及覆蓋于所述環形邊框上的保護膜層;
2)采用真空抽氣的方式去除所述保護膜層;
3)將所述環形邊框從所述光掩膜版上去除。
8.根據權利要求7所述的光掩膜版保護膜的去除方法,其特征在于,步驟2)中,采用真空吸附的方式去除所述保護膜層包括如下步驟:
2-1)提供一如權利要求1至6中任一項所述的光掩膜版保護膜的去除系統;
2-2)將所述氣罩扣置于所述光掩膜版上;
2-3)使用所述抽真空裝置抽氣,以在所述保護膜層的表面形成吸力,從而去除所述保護膜層。
9.根據權利要求8所述的光掩膜版保護膜的去除方法,其特征在于,步驟2)與步驟3)之間還包括如下步驟:
將所述氣罩從所述光掩膜版上方移開;
所述抽真空裝置停止抽氣。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





