[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201810966838.4
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN109166823B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 劉軍;閆梁臣;周斌;方金鋼;李偉;宋威;胡迎賓
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種陣列基板的制作方法，包括制作頂柵TFT中柵極的過程，所述柵極的制作過程包括：首次在具有光刻膠的金屬層上使用刻蝕液進行濕法刻蝕，形成初始柵極，其特征在于，還包括：

對所述初始柵極進行刻蝕，使得所述初始柵極邊沿具有從頂部到底部延伸的坡度；

其中，所述首次在具有光刻膠的金屬層上使用刻蝕液進行濕法刻蝕，形成初始柵極，包括：

在柵極絕緣層上依次形成金屬層和光刻膠層；

利用半色調掩膜版對所述光刻膠層進行曝光顯影，保留待形成柵極對應區域的光刻膠層，所述半色調掩膜版使得所述待形成柵極對應區域的光刻膠層靠近所述待形成柵極的邊沿形成不漏出所述待形成柵極的凹槽；

采用刻蝕液刻蝕所述金屬層，保留光刻膠下方的所述待形成柵極作為初始柵極；

其中，所述對所述初始柵極進行刻蝕，使得所述初始柵極邊沿具有從頂部到底部延伸的坡度，包括；

對所述光刻膠層進行烘烤，使得所述凹槽的側壁融化覆蓋所述初始柵極的側壁，且不露出所述初始柵極的頂部；

對所述初始柵極頂部的光刻膠進行曝光顯影刻蝕，刻蝕掉所述凹槽對應區域的光刻膠，從而露出所述初始柵極位于所述凹槽下方的側壁以及距離側壁預設距離的頂部；

對所述初始柵極進行第二次濕法刻蝕，刻蝕露出的所述初始柵極頂部以及側壁的部分金屬，使得所述初始柵極兩側具有從頂部到底部延伸的坡度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述金屬層由銅組成，且厚度為0.4-0.5μ m 。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻膠層由正性光刻膠組成。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，對所述初始柵極進行刻蝕后，所述初始柵極邊沿從頂部到底部延伸的坡角為30度-40度。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對所述光刻膠層進行烘烤包括：

在130～230°溫度下對所述光刻膠層進行4分鐘～5分鐘的烘烤。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蝕露出的所述初始柵極頂部以及側壁的部分金屬包括：

對所述初始柵極進行五分之一厚度的刻蝕。

7.一種陣列基板，其特征在于，根據權利要求1-6任一項所述的陣列基板的制作方法形成。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求7所述的陣列基板。