[發(fā)明專利]碳化硅肖特基器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810965912.0
• 申請(qǐng)日: 2018-08-23
• 公開（公告）號(hào): CN109103241A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 盛世瑤蘭（深圳）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/47;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市知頂頂知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44504
• 代理人: 馬世中

1.一種碳化硅肖特基器件，其特征在于，其包括：

第一導(dǎo)電類型的襯底；

形成在所述襯底的上表面的第二導(dǎo)電類型的第一外延層；

形成在所述第一外延層的上表面的第二導(dǎo)電類型的第二外延層；

形成在所述第二外延層的上表面的間隔設(shè)置的鈍化層；

分別與間隔的所述鈍化層相連且貫穿所述第二外延層和所述第一外延層且延伸至所述襯底的至少兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)；

形成在位于間隔的鈍化層之間的第二外延層的上表面的陽(yáng)極金屬層；

與所述襯底的下表面連接的陰極金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅肖特基器件，其特征在于，所述碳化硅肖特基器件還包括貫穿所述第一外延層的位于所述隔離結(jié)構(gòu)之間的第一導(dǎo)電類型的埋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅肖特基器件，其特征在于，所述碳化硅肖特基器件還包括形成于所述第二外延層的內(nèi)部與所述陽(yáng)極金屬層和所述隔離結(jié)構(gòu)相連的第二導(dǎo)電類型的隔離區(qū)。

4.一種碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：提供第一導(dǎo)電類型的襯底；

步驟S2：在所述襯底的上表面形成第二導(dǎo)電類型的第一外延層；

步驟S3：在所述第一外延層的上表面形成第一導(dǎo)電類型的第二外延層；

步驟S4：在所述第二外延層的上表面形成鈍化層，在所述鈍化層上表面進(jìn)行刻蝕形成深槽窗口，對(duì)所述深槽窗口打開區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成隔離結(jié)構(gòu)溝槽，所述隔離結(jié)構(gòu)溝槽貫穿所述第二外延層和所述第一外延層且延伸至所述襯底內(nèi)，在所述隔離結(jié)構(gòu)溝槽內(nèi)填充二氧化硅形成隔離結(jié)構(gòu)，在所述深槽窗口內(nèi)填充鈍化層材料形成鈍化層；

步驟S5：在所述鈍化層上選擇性刻蝕，形成肖特基接觸孔溝槽；在所述肖特基接觸孔溝槽內(nèi)和所述鈍化層的上表面形成陽(yáng)極金屬層；

步驟S6：在所述襯底的下表面形成陰極金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，步驟S2中還包括在所述第一外延層內(nèi)形成的第一導(dǎo)電類型的埋層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，形成所述埋層包括如下步驟：采用離子注入的方式對(duì)第二導(dǎo)電類型的第一外延層進(jìn)行局部摻雜，并使得所述第二導(dǎo)電類型的第一外延層局部區(qū)域反型成為第一導(dǎo)電類型而形成所述第一導(dǎo)電類型的埋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，步驟S3中還包括在所述第二外延層內(nèi)形成第二導(dǎo)電類型隔離區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型隔離區(qū)為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，形成所述第二導(dǎo)電類型隔離區(qū)包括如下步驟：采用離子注入的方式對(duì)第一導(dǎo)電類型的第二外延層進(jìn)行局部摻雜，并使得所述第一導(dǎo)電類型的第二外延層局部區(qū)域反型成為第二導(dǎo)電類型而形成所述第二導(dǎo)電類型的隔離區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，步驟S4中還包括利用化學(xué)機(jī)械研磨將所述鈍化層表面平坦化，所述隔離結(jié)構(gòu)為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的新型碳化硅肖特基器件的制造方法，其特征在于，步驟S5中所述陽(yáng)極金屬層所用金屬為鈦或鎳或鋁。