[發明專利]散熱基板及其制作方法與芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201810965115.2
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN110858575B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 林建辰;王梓瑄
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/367;H01L21/48
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張曉霞;臧建明

1.一種散熱基板，包括：

內層線路結構；

第一增層線路結構，配置于所述內層線路結構上，且包括內層介電層、至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及多個第一導電通孔，其中所述多個第一導電通孔貫穿所述內層介電層與所述第一介電層，所述第一圖案化導電層與所述第一介電層依序疊置于所述內層介電層上，且所述至少一第一圖案化導電層通過所述多個第一導電通孔與所述內層線路結構電性連接；以及

至少一散熱通道，設置于所述第一增層線路結構上的芯片設置區的周圍，具有第一開口與第二開口，其中所述第一開口貫穿所述至少一第一介電層并暴露出部分所述內層介電層，所述第二開口設置于所述第一增層線路結構的側表面，且所述第一開口與所述第二開口相連通。

2.根據權利要求1所述的散熱基板，其中所述至少一散熱通道從所述第一增層線路結構相對遠離所述內層線路結構的第一表面延伸至所述第一增層線路結構的所述側表面。

3.根據權利要求1所述的散熱基板，還包括：

第一圖案化防焊層，至少配置于所述第一增層線路結構相對遠離所述內層線路結構的第一表面上。

4.根據權利要求1所述的散熱基板，其中所述內層線路結構包括核心層、第一圖案化線路層、第二圖案化線路層以及至少一導電通孔，其中所述核心層具有彼此相對的上表面與下表面，所述第一圖案化線路層配置于所述上表面上、所述第二圖案化線路層配置于所述下表面上，且所述導電通孔連接所述第一圖案化線路層與所述第二圖案化線路層。

5.根據權利要求4所述的散熱基板，還包括：

第二增層線路結構，配置于所述核心層的所述下表面上，且覆蓋所述第二圖案化線路層；以及

第二圖案化防焊層，配置于所述第二增層線路結構相對遠離所述內層線路結構的第二表面上。

6.根據權利要求5所述的散熱基板，其中所述第二增層線路結構包括至少一第二介電層、至少一第二圖案化導電層以及至少一第二導電通孔，其中所述至少一第二導電通孔貫穿所述至少一第二介電層，所述第二介電層與所述第二圖案化導電層依序疊置于所述內層線路結構的所述下表面上，且所述第二圖案化導電層通過所述第二導電通孔與所述內層線路結構電性連接。

7.一種芯片封裝結構，包括：

如權利要求1～6中任一項所述的散熱基板；以及

芯片，配置于所述散熱基板的所述第一增層線路結構上，且配置于所述芯片設置區內，其中所述芯片包括多個焊球，且所述芯片通過所述多個焊球電性連接至所述至少一第一圖案化導電層。

8.一種散熱基板的制作方法，包括：

提供內層線路結構；

進行增層程序，以壓合第一增層線路結構于所述內層線路結構上，其中所述第一增層線路結構包括內層介電層、至少一第一介電層、至少一第一圖案化導電層以及多個第一導電通孔，其中所述多個第一導電通孔貫穿所述內層介電層與所述第一介電層，所述第一圖案化導電層與所述第一介電層依序疊置于所述內層介電層上，且所述至少一第一圖案化導電層通過所述多個第一導電通孔與所述內層線路結構電性連接；以及

移除部分所述至少一第一圖案化導電層與所述多個第一導電通孔，以形成至少一散熱通道，其中所述至少一散熱通道設置于所述第一增層線路結構上的芯片設置區的周圍，具有第一開口與第二開口，其中所述第一開口貫穿所述至少一第一介電層并暴露出部分所述內層介電層，所述第二開口設置于所述第一增層線路結構的一側表面，且所述第一開口與所述第二開口相連通。

9.根據權利要求8所述的散熱基板的制作方法，其中所述至少一散熱通道從所述第一增層線路結構相對遠離所述內層線路結構的第一表面延伸至所述第一增層線路結構的所述側表面。

10.根據權利要求8所述的散熱基板的制作方法，其中移除部分所述至少一第一圖案化導電層與所述多個第一導電通孔的步驟包括對所述芯片設置區的周圍進行蝕刻程序。