[發(fā)明專利]混合接合結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810959903.0
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109830490B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 蔡伯宗
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;姚開麗

1.一種混合接合結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一集成電路組件，其中所述第一集成電路組件包括其中具有多個第一半導體器件的第一半導體襯底、設置于所述第一半導體襯底上的第一內連線結構、覆蓋所述第一內連線結構的第一介電層以及至少一第一導體群組，所述至少一第一導體群組包括經(jīng)由所述第一內連線結構而彼此電性連接的多個第一導體；

提供第二集成電路組件，其中所述第二集成電路組件包括其中具有多個第二半導體器件的第二半導體襯底、設置于所述第二半導體襯底上的第二內連線結構、覆蓋所述第二內連線結構的第二介電層以及至少一第二導體群組，所述至少一第二導體群組包括經(jīng)由所述第二內連線結構而彼此電性連接的多個第二導體；以及

進行混合接合工藝以接合所述第一集成電路組件與所述第二集成電路組件，以使所述第一介電層接合至所述第二介電層，所述多個第一導體接合至所述多個第二導體，所述至少一第一導體群組經(jīng)由所述第一內連線結構中的第一分流走線而電性連接至所述多個第一半導體器件中的一者，所述至少一第二導體群組經(jīng)由所述第二內連線結構中的第二分流走線而電性連接至所述多個第二半導體器件中的一者，以使所述第一分流走線、所述第二分流走線、所述多個第一導體與所述多個第二導體提供所述第一集成電路組件與所述第二集成電路組件中的分流路徑。

2.根據(jù)權利要求1所述的混合接合結構的制造方法，其特征在于，所述混合接合工藝包括：

進行用于所述第一介電層與所述第二介電層之間的介電層接合的處理；以及

進行用于所述多個第一導體與所述多個第二導體之間的導體接合的熱退火。

3.根據(jù)權利要求2所述的混合接合結構的制造方法，其特征在于，用于導體接合的所述熱退火的工藝溫度高于用于介電層接合的所述處理的工藝溫度。

4.根據(jù)權利要求2所述的混合接合結構的制造方法，其特征在于，

在攝氏100度至攝氏150度的溫度范圍進行用于介電層接合所述第一介電層與所述第二介電層的所述處理。

5.根據(jù)權利要求2所述的混合接合結構的制造方法，其特征在于，在攝氏300度至攝氏400度的溫度范圍進行用于導體接合的所述熱退火。

6.根據(jù)權利要求1所述的混合接合結構的制造方法，其特征在于，所述多個第一導體與所述多個第二導體之間的導體接合包括通孔對通孔接合、接墊對接墊接合或通孔對接墊接合。

7.根據(jù)權利要求1所述的混合接合結構的制造方法，其特征在于，還包括：

單體化彼此混合接合的所述第一集成電路組件與所述第二集成電路組件，以形成經(jīng)單體化的多個混合接合結構。