[發明專利]包括恒定地控制感測操作的位線讀出放大器的存儲器裝置

有效

• 申請號: 201810959564.6
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109559771B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 李玟洙;金宗哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/4091
• 分類號: G11C11/4091
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;趙南

一種存儲器裝置包括存儲器單元塊、位線讀出放大器塊和控制電路，控制電路連接至排列在存儲器單元塊之間的一個或多個位線讀出放大器塊。控制電路將分別供應至驅動位線讀出放大器的第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線的電流的水平控制為恒定。將從感測匹配控制電路輸出的第一感測驅動控制信號和/或第二感測驅動控制信號提供至所有位線讀出放大器塊中的位線讀出放大器，從而基于供應至第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線的恒定水平的電流恒定地驅動位線讀出放大器。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年9月27日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2017-0125412的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及一種存儲器裝置，并且更具體地說，涉及一種恒定地控制位線讀出放大器的感測操作的方法和存儲器裝置。

背景技術

動態隨機存取存儲器(DRAM)是一種隨機存取半導體存儲器，它將每位數據存儲在存儲器單元的單元電容器中。存儲器單元連接至位線和互補位線。當在DRAM中執行讀操作或刷新操作時，位線讀出放大器對位線與互補位線之間的電壓差進行感測和放大。由于工藝-電壓-溫度(PVT)變化，包括在位線讀出放大器中的半導體器件彼此間可具有不同的特性，例如，不同的閾電壓。因此，在位線讀出放大器中可能發生增益變化，并且感測特性的分布可以增加。然而，當感測特性的分布增加時，DRAM的時序性能可變差。

發明內容

本發明構思的至少一個實施例提供了一種用于恒定地控制位線讀出放大器的感測操作的方法和存儲器裝置。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：多個存儲器單元塊，其包括多個存儲器單元；多個位線讀出放大器塊，其排列在存儲器單元塊之間，并且包括執行用于感測和放大存儲器單元的數據的感測操作的位線讀出放大器；以及感測匹配控制電路，其連接至一個或多個位線讀出放大器塊，并且確定分別供應至第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線的電流的水平，其中，第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線連接至所述一個或多個位線讀出放大器塊的與感測匹配控制電路連接的位線讀出放大器，其中，基于第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線的電流的水平來驅動所述一個或多個位線讀出放大器塊的位線讀出放大器，通過感測匹配控制電路來確定電流的水平。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括：多個存儲器單元塊，其包括多個存儲器單元；多個位線讀出放大器塊，其排列在存儲器單元塊之間，并且包括位線讀出放大器，位線讀出放大器執行去除與存儲器單元連接的位線與互補位線之間的偏差電壓的操作，并且感測和放大位線與互補位線之間的電壓差；以及感測匹配控制電路，其連接至一個或多個位線讀出放大器塊，并且確定分別供應至第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線的電流的水平，其中，第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線連接至所述一個或多個位線讀出放大器塊的與感測匹配控制電路連接的位線讀出放大器，其中，基于第一感測驅動電壓線和第二感測驅動電壓線的電流的水平來驅動一個或多個位線讀出放大器塊的位線讀出放大器，所述電流的水平由感測匹配控制電路確定。

根據本發明構思的示例性實施例，提供了一種控制連接在第一感測驅動電壓線與第二感測驅動電壓線之間的位線讀出放大器和執行用于感測和放大存儲器單元的數據的感測操作的方法，所述方法包括以下步驟：控制電路為連接至位線讀出放大器的位線和互補位線預充電；將第一電流供應至第一內部電壓線；所述控制電路將第一內部電壓線的電壓的電平與第一參考電壓的電平進行比較；基于比較結果，當第一內部電壓線的電壓的電平與第一參考電壓的電平彼此相等時，所述控制電路產生第一感測驅動控制信號；控制電路響應于第一感測驅動控制信號而確定供應至第一感測驅動電壓線的電流的水平；以及控制電路基于第一感測驅動電壓線的確定的電流水平來驅動位線讀出放大器。