[發(fā)明專利]包括摻雜碳的氮化硅的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)和相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810959506.3
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109427795B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 房駿;王菲;S·拉托德;R·納魯卡爾;M·帕克;M·J·金
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H10B41/30
• 分類號: H10B41/30;H10B41/20;H01L29/20;H01L29/207
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括：

階梯結(jié)構(gòu)，其包括交替的電介質(zhì)層級和導(dǎo)電層級的分層；

摻雜碳的氮化硅，其在所述階梯結(jié)構(gòu)的所述分層上方，所述摻雜碳的氮化硅排除包括一化學(xué)計量的碳的碳氮化硅；以及

與所述分層的所述導(dǎo)電層級電接觸并延伸穿過所述電介質(zhì)層級并進入所述分層的所述導(dǎo)電層級的接觸件，其中所述接觸件的底部表面在所述分層的所述導(dǎo)電層級內(nèi)：

每個接觸件從相應(yīng)接觸件的頂部表面到所述相應(yīng)接觸件的底部表面呈現(xiàn)出實質(zhì)上相同的寬度；和

所述階梯結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電層級實質(zhì)上全部與相應(yīng)接觸件電接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅與每一分層的所述電介質(zhì)層級直接接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅與每一分層的所述電介質(zhì)層級的水平表面直接接觸且與每一分層的所述電介質(zhì)層級和所述導(dǎo)電層級的垂直表面直接接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅包括氮化硅以及從1重量％的碳到15重量％的碳。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅包括氮化硅以及從5重量％的碳到15重量％的碳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅包括氮化硅以及從8重量％的碳到12重量％的碳。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅包括氮化硅以及約10重量％的碳。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅具有在與之間的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述摻雜碳的氮化硅具有均勻厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述接觸件中的至少一者具有不同于所述接觸件中的另一者的高度的高度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述接觸件的每一接觸件經(jīng)電連接到所述分層的不同導(dǎo)電層級。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括延伸穿過所述電介質(zhì)層級和所述導(dǎo)電層級的所述分層的至少部分的溝道材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其進一步包括沿著所述溝道材料的長度的存儲器胞元。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中每一接觸件包括與另一接觸件的高度不同的高度。

15.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，其包括：

在包括交替的電介質(zhì)層級和導(dǎo)電層級的分層的階梯結(jié)構(gòu)中形成梯級；

在所述梯級上方形成摻雜碳的氮化硅，所述摻雜碳的氮化硅排除包括一化學(xué)計量的碳的碳氮化硅；

在所述摻雜碳的氮化硅上方形成氧化物材料；

在所述氧化物材料中形成開口，所述開口延伸到所述摻雜碳的氮化硅；

移除所述摻雜碳的氮化硅的部分以將所述開口延伸到所述階梯結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電層級中；及

形成與所述分層的所述導(dǎo)電層級電接觸并延伸穿過所述電介質(zhì)層級并進入所述分層的所述導(dǎo)電層級的接觸件，其中所述接觸件的底部表面在所述分層的所述導(dǎo)電層級內(nèi)，每個接觸件從相應(yīng)接觸件的頂部表面到所述相應(yīng)接觸件的底部表面呈現(xiàn)出實質(zhì)上相同的寬度，并且所述階梯結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電層級實質(zhì)上全部與相應(yīng)接觸件電接觸。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述梯級上方形成摻雜碳的氮化硅包括在所述梯級上方形成包括從5重量％的碳到15重量％的碳的氮化硅。