[發(fā)明專利]顯示裝置的制造裝置及顯示裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810958975.3 | 申請日: | 2018-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN109994656A | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐宗吾;金俊亨;金志桓;金惠順;柳壎澈;蘇炳洙;李童敏;李東成;李鎬錫 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 崔今花;周艷玲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 準(zhǔn)分子激光 制造裝置 導(dǎo)向部 腔室 激光 非晶硅 視窗 照射 制造 非晶硅結(jié)晶 揮發(fā)性物質(zhì) 收納配置 多晶硅 透射率 氧供給 最小化 供氧 基板 吸附 折射 | ||
1.一種顯示裝置的制造裝置,包括:
腔室,用于收納配置有非晶硅的基板,并且通過向所述非晶硅照射準(zhǔn)分子激光來將所述非晶硅結(jié)晶化為多晶硅;
導(dǎo)向部,與所述腔室連接,并且用于使所述準(zhǔn)分子激光折射而引導(dǎo)到所述腔室;
激光生成部,與所述導(dǎo)向部連接,并且用于向所述導(dǎo)向部照射所述準(zhǔn)分子激光;和
供氧部,與所述激光生成部連接,并且用于在經(jīng)過已設(shè)定的周期之后將氧供給到所述激光生成部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造裝置,其中,
所述激光生成部包括:
外殼,用于收容在內(nèi)部的氣體;
第一電極及第二電極,配置在所述外殼的內(nèi)部,并且彼此相對配置,以便通過使所述氣體中的一部分等離子化來生成準(zhǔn)分子激光;和
視窗,配置在所述外殼,并且供所述準(zhǔn)分子激光透射,
所述第一電極及第二電極中的至少一個包含銅和鎢中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造裝置,其中,
在所述激光生成部的內(nèi)部收容有氣體,收容到所述激光生成部的內(nèi)部的氣體包含氯化氫HCl、氙Xe及氖Ne。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置的制造裝置,其中,
已設(shè)定的周期會多次到來,并且在多次周期中的一部分周期向所述激光生成部補充氯化氫,在多次周期中的其他一部分周期通過所述供氧部將氧注入到所述激光生成部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造裝置,其中,
所述供氧部以與惰性氣體混合的狀態(tài)向所述激光生成部供給所述氧,
所述氧為所述氧和所述惰性氣體的總重量的3%。
6.一種顯示裝置的制造方法,包括以下步驟:
在基板上配置非晶硅;
通過利用由激光生成部生成的準(zhǔn)分子激光照射所述非晶硅來將所述非晶硅結(jié)晶化為多晶硅;和
對所述多晶硅進行圖案化,
所述顯示裝置的制造方法在照射所述準(zhǔn)分子激光時按規(guī)定周期向所述激光生成部供給氧。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法,其中,
以與惰性氣體混合的狀態(tài)向所述激光生成部供給所述氧。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法,其中,
所述氧為所述氧和所述惰性氣體的總重量的3%。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法,其中,
在所述激光生成部的總使用周期內(nèi)以30ppm以上且200ppm以下的濃度向所述激光生成部供給所述氧。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法,其中,
所述激光生成部包括電極,所述電極包含銅和鎢中的至少一種。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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