[發明專利]一種體區變摻雜的槽柵DMOS器件

在審

• 申請號: 201810955875.5
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN109065628A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 高巍;楊夢琦;何文靜;任敏;李澤宏;蔡少峰;張金平;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種體區變摻雜的槽柵DMOS器件，其特征在于：包括從下至上依次層疊設置的金屬化漏極(1)、N+襯底(2)、N-漂移區(3)、金屬化源極(9)；所述N+襯底(2)的下表面與金屬化漏極(1)的上表面接觸，所述N-漂移區(3)的下表面與N+襯底(2)的上表面接觸，所述N-漂移區(3)的上部具有槽型柵電極(4)，所述槽型柵電極(4)的側面和底部被柵氧化層(5)包圍，所述槽型柵電極(4)的兩側都具有重摻雜N型源區(7)和重摻雜P型接觸區(8)，所述重摻雜N型源區(7)與槽型柵電極(4)通過柵氧化層(5)隔離，所述重摻雜N型源區(7)和重摻雜P型接觸區(8)的上表面與金屬化源極(9)的下表面相接觸，所述N-漂移區(3)的上部還具有P型體區，所述P型體區位于槽型柵電極(4)的兩側，所述P型體區具有第一體區(61)和第二體區(62)，所述第一體區(61)位于重摻雜N型源區(7)的正下方，第一體區(61)和第二體區(62)的側面接觸，所述第一體區(61)和第二體區(62)的結深一樣，所述第一體區(61)的摻雜濃度低于第二體區(62)的摻雜濃度。

2.根據權利要求1所述的一種體區變摻雜的槽柵DMOS器件，其特征在于：將P型體區劃分為至少3個體區，依次為第一體區(61)、第二體區(62)……第n體區(6n)，從靠近槽柵一側至遠離槽柵一側，摻雜濃度逐漸提高。

3.根據權利要求1所述的一種體區變摻雜的槽柵DMOS器件，其特征在于：器件中的硅材料替換為碳化硅、砷化鎵、磷化銦或鍺硅半導體材料。