[發明專利]一種顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201810949020.1 | 申請日: | 2018-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN109273490B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 王海 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發明提供一種顯示面板及其制備方法,顯示面板包括:COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、陣列基板以及觸控面板,陣列基板包括PI層以及位于PI層上的多個像素電路;第一FPC基板固定在COF基板的第一側,COF基板的第二側固定在PI層的邊緣,第二FPC基板固定在觸控面板的邊緣,第二FPC基板與COF基板位于顯示面板相對的兩側;第一FPC基板上設置有電源管理集成電路,第二FPC基板上設置有觸控集成電路,且COF基板上還設置有驅動集成電路;每個像素電路中均包含有一個發光二極管,像素電路用于接收電源管理集成電路或者驅動集成電路輸出的VDD電壓以及觸控集成電路輸出的VSS電壓,控制發光二極管發光。本發明可以提高顯示面板的亮度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。
背景技術
隨著三星S8/Note8柔性OLED顯示屏手機系列的大獲成功,特別是Iphone X也采用了OLED顯示屏,表明柔性顯示是未來極具競爭優勢的顯示技術。然而因OLED顯示屏內部電源走線不可避免的會引入電阻,當電源走線上有電流時,會產生電壓降,這些電流用于驅動顯示屏內部的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)發光,電源走線上產生的電壓降會導致顯示屏內部的TFT的電流有變化,使得顯示屏的亮度也會不均勻。
一般OLED顯示屏的電源布線如圖1所示,圖2為OLED顯示屏上像素發光時的電流圖,圖3為OLED顯示屏中VDD電壓的布線圖,圖4為OLED顯示屏中VSS電壓的布線圖。圖3、4中,1’為陣列基板,2’為金屬線,3’為COF(覆晶薄膜),4’和8’均為FPC(柔性電路板),5’為驅動集成電路(Driver Integrated Circuit,DIC),6’和9’均為連接器,7’為電源管理集成電路(Power Management Integrated Circuit,PMIC),10’為觸控集成電路(Touch IntegratedCircuit,TIC)。由于顯示屏上VDD電壓接入端和VSS電壓接入端分布在顯示屏上相對的兩側,如圖1所示,VDD電壓和VSS電壓均由靠近VDD電壓接入端的電源管理集成電路供電,這樣會導致電源管理集成電路與VSS電壓接入端之間的金屬走線的有效長度大于電源管理集成電路與VDD電壓接入端之間的金屬走線的有效長度,由于金屬走線上存在電阻,所以VSS電壓接入端的電壓降(IR drop)總是比VDD電壓接入端的電壓降高,而且在不同像素上,VDD電壓因金屬走線的電阻而減小的量和VSS電壓因金屬走線的電阻而升高的量也不同,例如從像素P(n+1)到像素P(n-1)的方向,越靠近驅動集成電路的像素,其對應的VSS電壓端的電壓降在整個電源走線上的電壓降所占的比重越來越大,遠離驅動集成電路的的像素,其對應的VDD電壓端的電壓降在整個電源走線上的電壓降所占的比重越來越大,而且VDD電壓端的電壓降引起的亮度變化是非線性的。VSS電壓的電壓降和VDD電壓的電壓降會使得像素兩端的有效電壓減小,導致像素發光亮度會減小,當VSS電壓的電壓降絕對值越大,則像素的發光亮度就會越小。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供一種顯示面板及其制備方法,可以提高顯示面板的亮度。
本發明提供的一種顯示面板,包括:COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、陣列基板以及位于所述陣列基板上的觸控面板,所述陣列基板包括PI層以及位于所述PI層上的多個像素電路;
所述第一FPC基板固定在所述COF基板的第一側,所述COF基板的第二側固定在所述PI層上,所述第二FPC基板固定在所述觸控面板的邊緣,所述第二FPC基板與所述COF基板位于顯示面板相對的兩側;
所述第一FPC基板上設置有電源管理集成電路,所述第二FPC基板上設置有觸控集成電路,且所述COF基板上還設置有驅動集成電路;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





