[發明專利]一種顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201810949020.1 | 申請日: | 2018-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN109273490B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 王海 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:COF基板、第一FPC基板、第二FPC基板、陣列基板以及位于所述陣列基板上的觸控面板,所述陣列基板包括PI層以及位于所述PI層上的多個像素電路;
所述第一FPC基板固定在所述COF基板的第一側,所述COF基板的第二側固定在所述PI層上,所述第二FPC基板固定在所述觸控面板的邊緣,所述第二FPC基板與所述COF基板位于顯示面板相對的兩側;
所述第一FPC基板上設置有電源管理集成電路,所述第二FPC基板上設置有觸控集成電路,且所述COF基板上還設置有驅動集成電路;
每個像素電路中均包含有一個發光二極管,且所述像素電路分別與所述電源管理集成電路、所述驅動集成電路以及所述觸控集成電路電性連接,所述像素電路用于接收所述電源管理集成電路或者所述驅動集成電路輸出的VDD電壓以及所述觸控集成電路輸出的VSS電壓,并將所述VDD電壓輸送至所述發光二極管的陽極,以及將所述VSS電壓輸送至所述發光二極管的陰極,控制所述發光二極管發光;
其中,所述像素電路還包含有第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管;
所述第一薄膜晶體管的源極與所述電源管理集成電路和所述驅動集成電路電性連接,所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的源極連接,所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第三薄膜晶體管的源極連接,所述第三薄膜晶體管的漏極與所述發光二極管的陽極連接。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素電路包括:位于所述PI層上的有源層、位于所述有源層上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的多個柵極和層間絕緣層,所述層間絕緣層覆蓋所述多個柵極,所述層間絕緣層上制備有多個源極和多個漏極,所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層上設置有多個第一過孔,所述多個源極和所述多個漏極均穿過所述多個第一過孔與所述有源層連接;
其中,所述多個源極、所述多個漏極、所述多個柵極,以及所述有源層、所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層劃分為所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第三薄膜晶體管。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,在所述層間絕緣層的上方還制備有平坦層,所述平坦層覆蓋所述多個源極和所述多個漏極;
在所述平坦層的上方制備有所述發光二極管。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述發光二極管包括陽極、位于所述陽極上方的發光層、位于所述發光層上方的陰極;
所述平坦層的上方還制備有像素定義層,所述像素定義層包圍所述發光二極管且將所述陰極露出;
所述平坦層上設置有第二過孔,所述陽極穿過所述第二過孔與所述第三薄膜晶體管的漏極電性連接。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,在所述第一薄膜晶體管的源極上方的平坦層和像素定義層上還設置有第三過孔,在所述像素定義層上還制備有第一金屬線,所述第一金屬線通過所述第三過孔與所述第一薄膜晶體管的源極電性連接,且所述第一金屬線還與到與電源管理集成電路電性連接;
在所述像素定義層的上方制備有封裝層,所述封裝層上制備有第二金屬線,且所述封裝層上還設置有第四過孔,所述第二金屬線通過所述第四過孔與所述陰極電性連接;
所述觸控面板通過框膠與所述封裝層粘接在一起;
所述第二金屬線還繞過所述觸控面板的邊緣與所述觸控面板的綁定區綁定,所述觸控面板的綁定區與所述觸控集成電路電性連接。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一FPC基板上還設置有第一連接器,所述第二FPC基板上還設置有第二連接器;
所述驅動集成電路以及所述電源管理集成電路通過所述第一連接器與處理器電性連接;
所述觸控集成電路通過所述第二連接器與處理器電性連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





