[發(fā)明專利]溫度測量電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810947609.8
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN108955930A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭建魁
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳元順微電子技術(shù)有限公司;廈門元順微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: G01K7/16
• 分類號: G01K7/16
• 代理公司: 廈門仕誠聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35227
• 代理人: 樂珠秀

一種溫度測量電路，包括：第一MOS管，第一MOS管的柵極連接信號輸入端；第一MOS管的源極、漏極與襯底相連接；比較器，第一MOS管的柵極連接比較器的正相輸入端；第一MOS管的源極、漏極與襯底連接比較器的反相輸入端；三極管，三極管的發(fā)射極連接比較器的反相輸入端；三極管的集電極和基極共地；第二MOS管，第二MOS管的漏極連接第一MOS管的柵極，第二MOS管的源極與襯底共地；單脈沖邏輯電路單元，單脈沖邏輯電路單元的輸入端連接比較器的輸出端，單脈沖邏輯電路單元的輸出端連接第二MOS管的柵極；電流源，電流源連接三極管的發(fā)射極。溫度測量電路所占面積小，功耗小，可靠性高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種溫度測量電路。

背景技術(shù)

邏輯集成電路應(yīng)用廣泛，其中許多情形下要求測量溫度并轉(zhuǎn)換成數(shù)字形式。

常用的溫度測量電路是采用溫敏電阻測量與溫度相關(guān)的電壓，然后用模數(shù)轉(zhuǎn)換器，將此電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式。然而這種電路系統(tǒng)復(fù)雜，成本高，可靠性不好。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種溫度測量電路，以采用更加簡單地電路結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)對溫度的測量，在保證溫度測量可靠性的同時，節(jié)省成本。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種溫度測量電路，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的柵極連接信號輸入端；所述第一MOS管的源極、漏極與襯底相連接；比較器，所述第一MOS管的柵極連接所述比較器的正相輸入端；所述第一MOS管的源極、漏極與襯底連接所述比較器的反相輸入端；三極管，所述三極管的發(fā)射極連接所述比較器的反相輸入端；所述三極管的集電極和基極共地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏極連接所述第一MOS管的柵極，所述第二MOS管的源極與襯底共地；單脈沖邏輯電路單元，所述單脈沖邏輯電路單元的輸入端連接所述比較器的輸出端，所述單脈沖邏輯電路單元的輸出端連接所述第二MOS管的柵極；電流源，所述電流源連接所述三極管的發(fā)射極。

可選的，所述信號輸入端包括反相器和連接在所述反相器輸出端的電阻，所述電阻連接至所述第一MOS管的柵極。

可選的，所述第一MOS管為增強型PMOS。

可選的，所述三極管為PNP管或NPN管。

可選的，所述第二MOS管為增強型NMOS。

為解決上述問題，本發(fā)明提供另一種溫度測量電路，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的柵極連接信號輸入端；所述第一MOS管的源極、漏極與襯底相連接；比較器，所述第一MOS管的柵極連接所述比較器的正相輸入端；所述第一MOS管的源極連接所述比較器的反相輸入端；二極管，所述二極管的正極連接所述比較器的反相輸入端；所述二極管的負極接地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏極連接所述第一MOS管的柵極，所述第二MOS管的源極與襯底共地；單脈沖邏輯電路單元，所述單脈沖邏輯電路單元的輸入端連接所述比較器的輸出端，所述單脈沖邏輯電路單元的輸出端連接所述第二MOS管的柵極；電流源，所述電流源連接所述二極管的正極。

可選的，所述信號輸入端包括反相器和連接在反相器輸出端的電阻，所述電阻連接至所述第一MOS管的柵極。

可選的，所述第一MOS管為增強型PMOS。

可選的，所述第二MOS管為增強型PMOS、增強型NMOS管、耗盡型PMOS管或耗盡型NMOS管。

本發(fā)明技術(shù)方案的其中一個方面中，電路結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計巧妙，所使用的器件為MOS管等，不需要使用溫敏電阻和模數(shù)轉(zhuǎn)換器等復(fù)雜器件，因此，所要占用的芯片面積較小、功耗小，并且電路的可靠性好，成本降低。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有溫度測量電路示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的溫度測量電路示意圖；