[發明專利]溫度測量電路在審
| 申請號： | 201810947609.8 | 申請日： | 2018-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN108955930A | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 郭建魁 | 申請（專利權）人： | 深圳元順微電子技術有限公司;廈門元順微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | G01K7/16 | 分類號： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 廈門仕誠聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 樂珠秀 |
| 地址： | 518031 廣東省深圳市福田區南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 比較器 三極管 邏輯電路單元 溫度測量電路 單脈沖 襯底 漏極 源極 反相輸入端 柵極連接 電流源 共地 發射極連接 輸出端連接 輸入端連接 信號輸入端 正相輸入端 發射極 集電極 輸出端 功耗 | ||
1.一種溫度測量電路，其特征在于，包括：
第一MOS管，所述第一MOS管的柵極連接信號輸入端；所述第一MOS管的源極、漏極與襯底相連接；
比較器，所述第一MOS管的柵極連接所述比較器的正相輸入端；所述第一MOS管的源極、漏極與襯底連接所述比較器的反相輸入端；
三極管，所述三極管的發射極連接所述比較器的反相輸入端；所述三極管的集電極和基極共地；
第二MOS管，所述第二MOS管的漏極連接所述第一MOS管的柵極，所述第二MOS管的源極與襯底共地；
單脈沖邏輯電路單元，所述單脈沖邏輯電路單元的輸入端連接所述比較器的輸出端，所述單脈沖邏輯電路單元的輸出端連接所述第二MOS管的柵極；
電流源，所述電流源連接所述三極管的發射極。
2.如權利要求1所述的溫度測量電路，其特征在于，所述信號輸入端包括反相器和連接在所述反相器輸出端的電阻，所述電阻連接至所述第一MOS管的柵極。
3.如權利要求1所述的溫度測量電路，其特征在于，所述第一MOS管為增強型PMOS。
4.如權利要求1所述的溫度測量電路，其特征在于，所述三極管為PNP管或NPN管。
5.如權利要求1所述的溫度測量電路，其特征在于，所述第二MOS管為增強型NMOS。
6.一種溫度測量電路，其特征在于，包括：
第一MOS管，所述第一MOS管的柵極連接信號輸入端；所述第一MOS管的源極、漏極與襯底相連接；
比較器，所述第一MOS管的柵極連接所述比較器的正相輸入端；所述第一MOS管的源極連接所述比較器的反相輸入端；
二極管，所述二極管的正極連接所述比較器的反相輸入端；所述二極管的負極接地；
第二MOS管，所述第二MOS管的漏極連接所述第一MOS管的柵極，所述第二MOS管的源極與襯底共地；
單脈沖邏輯電路單元，所述單脈沖邏輯電路單元的輸入端連接所述比較器的輸出端，所述單脈沖邏輯電路單元的輸出端連接所述第二MOS管的柵極；
電流源，所述電流源連接所述二極管的正極。
7.如權利要求6所述的溫度測量電路，其特征在于，所述信號輸入端包括反相器和連接在反相器輸出端的電阻，所述電阻連接至所述第一MOS管的柵極。
8.如權利要求6所述的溫度測量電路，其特征在于，所述第一MOS管為增強型PMOS。
9.如權利要求6所述的溫度測量電路，其特征在于，所述第二MOS管為增強型PMOS、增強型NMOS管、耗盡型PMOS管或耗盡型NMOS管。
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