[發明專利]PERC電池背面鈍化工藝在審
| 申請號: | 201810946944.6 | 申請日: | 2018-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN109192813A | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發明(設計)人: | 程平;朱露;張凱勝;姚偉忠;孫鐵囤 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 鄭云 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池背面 鈍化工藝 氧化鋁 鈍化 長波 電池短路電流 背面鈍化層 熱處理工藝 氧化鋁原料 反應成本 厚度降低 吸雜效果 一步氧化 轉化效率 氮化硅 氧化硅 多層 制程 制絨 反射 背面 持平 電池 擴散 | ||
1.一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:包括以下步驟:
a、第一層鍍氧化硅層:將進行洗磷后拋光的硅片放入石墨舟進入管式PECVD鍍膜設備,爐內溫度穩定在450±50℃,向爐內通入SiH4與N2O,并開放射頻功率,完成硅片表面第一層鍍膜;
b、第二層鍍氧化鋁層:將硅片放入原子沉積腔,通入三甲基鋁和水蒸汽,在溫度200±30℃,進行原子沉積,完成硅片表面第二層鍍膜;
c、退火熱處理工藝:將硅片放入600±50℃爐管設備中,對硅片進行熱處理退火,工藝時間為600±50s;
d、第三層鍍氮化硅層:爐內溫度穩定在420±50℃,向爐內通入SiH4與NH3,并開放射頻功率,完成鍍膜;
e、第四層鍍氮化硅層:爐內溫度在420±50℃向爐內通入SiN4與NH3,并開放射頻功率,完成鍍膜;
f、第五層鍍氮化硅層:爐內溫度在420±50℃向爐內通入SiN4與NH3,并開放射頻功率,完成鍍膜;
g、第六層鍍氮化硅層:爐內溫度在420±50℃向爐內通入SiN4與NH3,并開放射頻功率,完成鍍膜;
h、抽真空:鍍膜完成后,對爐內進行抽真空,抽真空的時間控制在1min內,使爐內的壓強為零;
i、出爐:打開爐門,承載石墨舟托以600±5mm/min的速度從爐內退出,在出爐過程中向爐內通入氮氣,氮氣流量為10000±1000sccm。
2.如權利要求1所述的PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:步驟a中,SiH4流量為1000±300sccm,N2O流量為3000±500sccm,射頻功率為8.5±1KW,射頻開放次數60±10,壓強維持在1600±300mtorr,鍍膜時間為100±50s。
3.如權利要求1所述的PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:步驟b中,三甲基鋁流量為400±50sccm,H2O流量為300±50sccm,壓強維持在10±3mbar,鍍膜時間為300±50s。
4.如權利要求1所述的PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:步驟d中,SiH4流量為1000±300sccm,NH3流量為1000±500sccm,射頻功率為8.5±1KW,射頻開放次數60±10,壓強維持在1600±300mtorr,鍍膜時間為100±50s。
5.如權利要求1所述的PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:步驟e中,SiH4流量為1000±50sccm,NH3流量為3000±200sccm,射頻開放次數60±10,壓強維持在1600±400mtorr,鍍膜時間為300±100s。
6.如權利要求1所述的PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:步驟f中,SiH4流量為1000±50sccm,NH3流量為5000±200sccm,射頻開放次數60±10,壓強維持在1600±400mtorr,鍍膜時間為500±100s。
7.如權利要求1所述的PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于:步驟g中,SiH4流量為1000±50sccm,NH3流量為7000±200sccm,射頻開放次數60±10,壓強維持在1600±400mtorr,鍍膜時間為700±100s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





