[發明專利]一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法在審
| 申請號: | 201810945556.6 | 申請日: | 2018-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN108892511A | 公開(公告)日: | 2018-11-27 |
| 發明(設計)人: | 顧文華;顧旭;徐世杰;萬立斌 | 申請(專利權)人: | 寧夏和興碳基材料有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/565 | 分類號: | C04B35/565;C04B35/626;C01B32/956 |
| 代理公司: | 西安銘澤知識產權代理事務所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 李振瑞 |
| 地址: | 751600 寧夏回族*** | 國省代碼: | 寧夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 亞微米級碳化硅粉 沉淀 碳化硅細粉 提純反應釜 漿料 濾餅 磨介 制備 原料碳化硅 托盤 儲存容器 分散助劑 干法研磨 干燥物料 漿料輸送 生產效率 濕法研磨 碳化硅粉 研磨 分散劑 上清液 水混合 中和池 粉體 拐點 烘干 篩網 壓濾 后排 裝入 取出 申請 | ||
本發明屬于碳化硅粉體制備技術領域,公開了一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,包括如下步驟:將原料碳化硅粉體與磨介一起進行干法研磨;研磨后的物料經篩網進行篩分;將篩分得到的物料與分散劑和水混合后,與磨介一起進行濕法研磨,得到碳化硅細粉漿料;將碳化硅細粉漿料依次輸送至堿性提純反應釜內、酸性提純反應釜內和中和池進行純化,然后將純化后的漿料輸送至中轉儲存容器中,加入烘干分散助劑,攪拌均勻后沉淀,沉淀結束后排出上清液,并將得到的沉淀進行壓濾得到濾餅;將濾餅裝入托盤進行干燥,取出干燥物料經粉碎后得到亞微米級碳化硅粉體。本申請能夠克服加工過程中的拐點和逆點,提高生產效率。
技術領域
本發明屬于碳化硅粉體制備技術領域,特別涉及一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法。
背景技術
碳化硅陶瓷具有硬度高、高溫強度大、熱導率高、化學穩定性好、熱膨脹系數小、絕緣性好和帶隙寬燈優良性能,在航空航天、汽車、機械、電子、化工、能源以及環保等領域得到廣泛的應用。研究表明:在碳化硅陶瓷的制備過程中,隨著碳化硅粉體原料的粒度變小,其燒結性能及力學性能都會得到明顯的改善,因此為燒制出性能優異的精細陶瓷制品,就必須有粒度分布合理、純度高、性能好的碳化硅超細粉體。
超細碳化硅粉體的制備方法有多種,例如氣流對撞粉碎法、振動磨粉碎法、攪拌磨粉碎法等。但是這些方法在制備超細碳化硅粉體時都或多或少的存在一些問題,例如氣流磨粉碎法優點是干法、效率高、污染小,但對3μm以細粉體分級精度差,效率不高;振動磨機粉碎法優點是干法、污染小,缺點是超細粉體仍需分級處理,分級效果很難保證;或者在研磨粉碎的過程中容易出現團聚顯現,易出現“拐點”或逆點。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法。
為了實現上述目的,本申請采用的技術方案為:一種制備亞微米級碳化硅粉體的方法,包括如下步驟:
(1)選取粒度為100目~1000目、SiC含量不小于70%的碳化硅粉體為原料,與第一磨介一起加入到球磨機中進行干法研磨8h~10h;研磨后的物料經過1500目~2000目篩網進行篩分;
所述第一磨介為直徑為5mm~12mm的鑄鋼球,且與碳化硅粉體原料的重量比為0.3~5:1;
(2)將篩分得到的物料與分散劑和水混合后,加入到砂磨機中,與第二磨介一起進行濕法研磨,得到碳化硅細粉漿料,所述碳化硅細粉漿料中碳化硅粒度D50=0.3μm~1.0μm,D100≤2.0μm;
所述第二磨介為直徑為1mm~12mm鑄鋼球;且與碳化硅粉體原料的重量比為0.3~5:1;
所述分散劑的用量為碳化硅粉體原料的5wt%~10wt%,所述分散劑為焦磷酸鈉或山梨醇脂肪酸脂中的一種;
水與碳化硅粉體原料的重量比為1:0.3~6;
(3)將步驟(2)所得到的碳化硅細粉漿料依次輸送至堿性提純反應釜內、酸性提純反應釜內和中和池進行純化,然后將純化后的漿料輸送至中轉儲存容器中,加入碳化硅細粉漿料重量0.001%~0.9%的烘干分散助劑,攪拌均勻后沉淀10h~30h,沉淀結束后排出上清液,并將得到的沉淀進行壓濾,得到濾餅,備用;
(4)將步驟(3)得到的濾餅裝入托盤進行干燥,干燥至水分含量不超過0.03%,取出干燥物料經粉碎后得到亞微米級碳化硅粉體。
進一步的,所述步驟(1)的鑄鋼球包括直徑為10mm~12mm的大直徑鑄鋼球和直徑為5mm~10mm的中直徑鑄鋼球,且所述大直徑鑄鋼球和中直徑鑄鋼球的重量配比為1:3。
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