[發(fā)明專利]一種提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法和系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810942551.8
• 申請(qǐng)日: 2018-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN110838322A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賀元魁;潘榮華;馬思博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一時(shí)序向存儲(chǔ)單元施加編程電壓；

第二時(shí)序向存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓；

在第一時(shí)序和第二時(shí)序之間，向存儲(chǔ)單元的選擇字線施加清除電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：所述清除電壓為脈沖電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：所述脈沖電壓的頻率為100Hz～500Hz。

4.如權(quán)利要求2所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：第二時(shí)序時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器中的選擇字線施加校驗(yàn)電壓，所述清除電壓大于等于校驗(yàn)電壓。

5.如權(quán)利要求2所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：所述存儲(chǔ)單元的源極、漏極與浮動(dòng)?xùn)艠O之間的介電常數(shù)越大，所述清除電壓的大小越大，清除電壓的時(shí)長(zhǎng)越長(zhǎng)。

6.如權(quán)利要求2所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：所述清除電壓的大小為1S～5V，所述清除電壓的時(shí)長(zhǎng)為0.1S～1.5S。

7.如權(quán)利要求2所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：第二時(shí)序時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器中的選擇字線施加校驗(yàn)電壓，將選擇位線預(yù)充到第一預(yù)充電電壓，對(duì)未選擇字線施加通過電壓；接著對(duì)選擇位線進(jìn)行第一時(shí)間的放電，然后將放電后的位線電壓與第一判定電壓進(jìn)行比較，若至少存在一條位線的電壓高于所述第一判定電壓，則操作結(jié)束，反之，則重新向存儲(chǔ)器中存入數(shù)據(jù)。

8.如權(quán)利要求7所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：所述校驗(yàn)電壓的范圍是0V～1V，所述第一預(yù)充電電壓的范圍是1V～1.2V。

9.如權(quán)利要求2所述的提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的方法，其特征在于：所述向存儲(chǔ)器存入數(shù)據(jù)包括：對(duì)選擇字線施加編程電壓，對(duì)未選擇字線施加中間的通過電壓，對(duì)選擇位線施加0V，對(duì)未選擇位線施加正電壓，所述編程電壓的范圍是12V～16V。

10.一種提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的系統(tǒng)，其特征在于，提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的系統(tǒng)包括：

編程模塊，用于第一時(shí)序向存儲(chǔ)單元施加編程電壓；

校驗(yàn)?zāi)K，用于第二時(shí)序向存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓；

清除模塊，用于在第一時(shí)序和第二時(shí)序之間，向存儲(chǔ)單元的選擇字線施加清除電壓。