[發明專利]一種存儲器的擦除方法和系統

有效

• 申請號: 201810940748.8
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN110838326B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 賀元魁;潘榮華
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開了一種存儲器的擦除方法和系統。存儲器的擦除方法包括以下步驟：擦除時序C1時向存儲單元施加擦除電壓；校驗時序Y1時向存儲單元施加校驗電壓；若校驗失敗，在擦除時序C1后則再次向存儲單元施加至少兩個具有增幅的擦除電壓以再次進行校驗，擦除電壓的增幅D_vers至少包括第一增幅D_vers1和第二增幅D_vers2，D_vers1＞D_vers2，擦除電壓越大，擦除電壓的增幅D_vers越小。存儲器的擦除方法和系統具有提高存儲器壽命的優點。

技術領域

本發明實施例涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種存儲器的擦除方法和系統。

背景技術

存儲器時一種在編程時必須用到的元件，如Nand flash存儲器，Nand flash存儲器是一種非易失存儲器，具有改寫速度快，存儲容量大等優點。而Nandflash存儲器擦除操作時，會發生校驗失敗，每次校驗失敗后，就需要增加擦除電壓的幅值。現有技術中，每次擦除失敗，擦除電壓增大的幅值都是相等的，在擦除電壓接近擦除閾值時，再次增加擦除電壓后，會造成擦除電壓比擦除閾值大很多的情形，會對存儲單元的穿隧氧化膜造成影響，減小存儲器的壽命。

因此，如何增加存儲器的壽命，就成了存儲器技術領域的需求。

發明內容

本發明提供一種存儲器的擦除方法和系統，以解決存儲器在擦除時壽命降低的技術問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種存儲器的擦除方法，其包括以下步驟：擦除時序C1時向存儲單元施加擦除電壓；校驗時序Y1時向存儲單元施加校驗電壓；若校驗失敗，在擦除時序C1后則再次向存儲單元施加至少兩個具有增幅的擦除電壓以再次進行校驗，擦除電壓的增幅D_vers至少包括第一增幅D_vers1和第二增幅D_vers2，D_vers1＞D_vers2，擦除電壓越大，擦除電壓的增幅D_vers越小。

優選地，所述擦除時序C1時向存儲單元施加擦除電壓時擦除電壓的幅值為V_ers，第n次向存儲單元施加擦除電壓時，所述擦除電壓的幅值為V_ers+(n-1)D_vers，其中n為正整數，且n≥1，隨著擦除電壓的按階段增大，D_vers減小。

優選地，所述擦除電壓的增幅D_vers還包括第三增幅D_vers3，V_ers+(n-1)D_vers＜m1時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第一增幅D_vers1，m1≤V_ers+(n-1)D_vers＜m2時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第二增幅D_vers2，V_ers+(n-1)D_vers≥m2時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第三增幅D_vers3，m1為擦除電壓幅值的第一閾值，m2為擦除電壓幅值的第二閾值。

優選地，所述m2-m1＞D_vers1。

優選地，擦除時序C1時，對所有字線施加第一電壓，對存儲單元的襯底施加擦除電壓。

優選地，所述擦除電壓的范圍是18V～24V。

優選地，校驗時序Y1時，對所有字線施加校驗電壓，將所有位線預充到預充電電壓；接著對所有位線進行第一時間的放電，然后將放電后的位線電壓與第一判定電壓進行比較，若放電后位線的電壓都低于所述第一判定電壓，則表示校驗成功可以結束操作，反之，表示校驗失敗需再次對存儲器進行擦除并進行校驗。

優選地，所述校驗電壓的范圍是0V～1V。