[發(fā)明專利]一種存儲器的擦除方法和系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810940748.8
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN110838326B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設計）人: 賀元魁;潘榮華
• 申請（專利權）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種存儲器的擦除方法，其特征在于，包括以下步驟：

擦除時序C1時向存儲單元的襯底施加擦除電壓；

校驗時序Y1時向存儲單元的字線施加校驗電壓；

若校驗失敗，在擦除時序C1后則再次向存儲單元施加至少兩個具有增幅的擦除電壓以再次進行校驗，擦除電壓的增幅D_vers至少包括第一增幅D_vers1和第二增幅D_vers2，D_vers1＞D_vers2，擦除電壓越大，擦除電壓的增幅D_vers越小；

所述擦除時序C1時向存儲單元施加擦除電壓時擦除電壓的幅值為V_ers，第n次向存儲單元施加擦除電壓時，所述擦除電壓的幅值為V_ers+(n-1)D_vers，其中n為正整數(shù)，且n≥1，隨著擦除電壓的按階段增大，D_vers減小；

所述擦除電壓的增幅D_vers還包括第三增幅D_vers3，V_ers+(n-1)D_vers＜m1時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第一增幅D_vers1，m1≤V_ers+(n-1)D_vers＜m2時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第二增幅D_vers2，V_ers+(n-1)D_vers≥m2時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第三增幅D_vers3，m1為擦除電壓幅值的第一閾值，m2為擦除電壓幅值的第二閾值。

2.如權利要求1所述的存儲器的擦除方法，其特征在于：m2-m1＞D_vers1。

3.如權利要求1所述的存儲器的擦除方法，其特征在于：擦除時序C1時，對所有字線施加第一電壓，對存儲單元的襯底施加擦除電壓。

4.如權利要求1所述的存儲器的擦除方法，其特征在于：所述擦除電壓的范圍是18V～24V。

5.如權利要求1所述的存儲器的擦除方法，其特征在于：校驗時序Y1時，對所有字線施加校驗電壓，將所有位線預充到預充電電壓；接著對所有位線進行第一時間的放電，然后將放電后的位線電壓與第一判定電壓進行比較，若放電后位線的電壓都低于所述第一判定電壓，則表示校驗成功結束操作，反之，表示校驗失敗需再次對存儲器進行擦除并進行校驗。

6.如權利要求1所述的存儲器的擦除方法，其特征在于：所述校驗電壓的范圍是0V～1V。

7.如權利要求5所述的存儲器的擦除方法，其特征在于：所述預充電電壓的范圍是1v～1.2v。

8.一種存儲器的擦除系統(tǒng)，其特征在于，存儲器的擦除系統(tǒng)包括：

擦除模塊，用于擦除時序C1時向存儲單元的襯底施加擦除電壓；

校驗模塊，用于校驗時序Y1時向存儲單元的字線施加校驗電壓；

若校驗失敗，在擦除時序C1后則擦除模塊再次向存儲單元施加至少兩個具有增幅的擦除電壓，校驗模塊以再次進行校驗，擦除電壓的增幅D_vers至少包括第一增幅D_vers1和第二增幅D_vers2，D_vers1＞D_vers2，擦除電壓越大，擦除電壓的增幅D_vers越小；

所述擦除時序C1時向存儲單元施加擦除電壓時擦除電壓的幅值為V_ers，第n次向存儲單元施加擦除電壓時，所述擦除電壓的幅值為V_ers+(n-1)D_vers，其中n為正整數(shù)，且n≥1，隨著擦除電壓的按階段增大，D_vers減小；

所述擦除電壓的增幅D_vers還包括第三增幅D_vers3，V_ers+(n-1)D_vers＜m1時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第一增幅D_vers1，m1≤V_ers+(n-1)D_vers＜m2時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第二增幅D_vers2，V_ers+(n-1)D_vers≥m2時，每次校驗失敗擦除電壓的增幅為第三增幅D_vers3，m1為擦除電壓幅值的第一閾值，m2為擦除電壓幅值的第二閾值。