[發(fā)明專利]芯片組件及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810940358.0
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN110838475A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃立湘;王澤東;繆樺
• 申請（專利權(quán)）人: 深南電路股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種芯片組件，其特征在于，所述芯片組件包括：

封裝體；

芯片，埋入在所述封裝體中，包括芯片主體和與所述芯片主體電連接的引腳，所述引腳自所述芯片主體延伸到所述封裝體外；

金屬層，設(shè)置在所述封裝體遠(yuǎn)離所述引腳的一側(cè)，并與所述芯片主體導(dǎo)熱連接，用于為所述芯片散熱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片為MOS芯片，所述引腳的數(shù)量有多個，且多個所述引腳均位于芯片主體的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述引腳通過導(dǎo)電柱或?qū)щ娍椎姆绞窖由斓剿龇庋b體外。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件還包括導(dǎo)熱件，一端與所述芯片主體導(dǎo)熱連接，另一端與所述金屬層導(dǎo)熱連接，以將所述芯片主體與所述金屬層導(dǎo)熱連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片還包括導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層設(shè)置在所述芯片主體靠近所述金屬層一側(cè)，所述導(dǎo)熱件將所述導(dǎo)熱層與所述金屬層導(dǎo)熱連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片組件，其特征在于，所述芯片組件進(jìn)一步包括：

散熱層，所述散熱層設(shè)置在所述金屬層遠(yuǎn)離所述封裝體的一側(cè)，所述散熱層與所述導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)熱件一體成型。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片組件，其特征在于，多個所述導(dǎo)熱件呈矩陣型排布，且所述矩陣的面積小于所述導(dǎo)熱層的面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述封裝體是由多個芯板依次層疊而成的印刷電路板。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組件，其特征在于，所述封裝體設(shè)置所述引腳的表面上還設(shè)置有信號層，所述信號層包括多個焊盤，所述引腳與所述焊盤電連接。

10.一種芯片組件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基板，所述基板上設(shè)置有一安裝空間；

提供一芯片，所述芯片包括芯片主體和導(dǎo)熱層；

提供導(dǎo)熱件，并將所述導(dǎo)熱件與所述導(dǎo)熱層背離所述芯片主體的一側(cè)導(dǎo)熱連接；

將所述芯片置于所述安裝空間中；

在所述安裝空間中設(shè)置絕緣層，并對所述基板和所述絕緣層進(jìn)行熱壓，以形成封裝體，所述封裝體包覆所述芯片，并露出部分所述導(dǎo)熱件；和

在所述封裝體靠近所述導(dǎo)熱層的一側(cè)設(shè)置金屬層，并將所述金屬層與所述導(dǎo)熱件導(dǎo)熱連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層；

所述制造方法包括:

提供一具有通槽的所述基板；

在所述基板的一側(cè)貼置粘貼膠，所述粘貼膠覆蓋所述通槽；

提供一芯片，所述芯片包括芯片主體和導(dǎo)熱層；

提供導(dǎo)熱件，并將所述導(dǎo)熱件與所述導(dǎo)熱層背離所述芯片主體的一側(cè)導(dǎo)熱連接；

將所述芯片置于所述通槽中，并將所述芯片貼設(shè)于所述粘貼膠上；

在所述通槽中設(shè)置第一絕緣層；

移除所述粘貼膠，并在所述基板移除所述粘貼膠的一側(cè)設(shè)置第二絕緣層，對所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述基板進(jìn)行熱壓，以形成封裝體，所述封裝體包覆所述芯片，并露出部分所述導(dǎo)熱件；和

在所述封裝體靠近所述導(dǎo)熱層的一側(cè)設(shè)置金屬層，并將所述金屬層與所述導(dǎo)熱件導(dǎo)熱連接。