[發明專利]Micro-LED巨量轉移方法及Micro-LED基板

在審

• 申請號: 201810939699.6
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109065677A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 鄒振游;李梁梁;霍亞洲;孟凡清;伍蓉;席文星;孔凱斌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;胡影

本發明提供一種Micro?LED巨量轉移方法及Micro?LED基板，該方法包括：提供轉移板，轉移板包括：襯底、位于襯底上的絕緣膜層和多個第一金屬焊盤，絕緣膜層上具有多個凹槽，第一金屬焊盤位于凹槽內；提供多個Micro?LED晶粒，Micro?LED晶粒的背部具有第二金屬焊盤；在第一金屬焊盤上或第二金屬焊盤上形成焊料；將轉移板和Micro?LED晶粒置于盛有溶劑的腔室內，振動腔室，使Micro?LED晶粒落入轉移板的凹槽內，Micro?LED晶粒上的第二金屬焊盤與凹槽內的第一金屬焊盤通過焊料接觸，腔室內的溫度高于焊料的熔點；使焊料固化。本發明的Micro?LED巨量轉移方法，良率高且成本低。

技術領域

本發明涉及Micro-LED技術領域，尤其涉及一種Micro-LED巨量轉移方法及Micro-LED基板。

背景技術

Micro-LED(微型發光二極管)是新一代顯示技術，比現有的OLED(有機發光二極管)技術亮度更高、發光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技術，將LED結構設計進行薄膜化、微小化、陣列化，其尺寸僅在1～10μm等級左右。Micro-LED最大的優勢來自于微米等級的間距，每一點像素(pixel)都能定址控制及單點驅動發光、壽命長、應用范疇廣。但限制Micro-LED顯示技術發展的瓶頸主要包括巨量轉移技術。巨量轉移技術即如何將大量微小尺度的Micro-LED晶粒轉移到大尺寸的轉移板上，是Micro-LED產品量產化的重要技術，如何保證巨量轉移技術的低成本和高良率，是目前主要研究的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種Micro-LED巨量轉移方法及Micro-LED基板，能夠保證Micro-LED巨量轉移技術的低成本和高良率。

為解決上述技術問題，本發明提供一種Micro-LED巨量轉移方法，包括：

提供轉移板，所述轉移板包括：襯底以及位于所述襯底上的絕緣膜層和多個第一金屬焊盤，所述絕緣膜層上具有多個用于裝載Micro-LED晶粒的凹槽，所述第一金屬焊盤位于所述凹槽內；

提供多個Micro-LED晶粒，所述Micro-LED晶粒的背部具有第二金屬焊盤，所述Micro-LED晶粒的背部為與所述Micro-LED晶粒的發光側相背的一側；

在所述轉移板的第一金屬焊盤上或所述Micro-LED晶粒的第二金屬焊盤上形成焊料；

將所述轉移板和所述Micro-LED晶粒置于一盛有溶劑的腔室內，并振動所述腔室，使所述Micro-LED晶粒在振動作用下，落入所述轉移板的所述凹槽內，落入所述凹槽內的所述Micro-LED晶粒上的第二金屬焊盤與所述凹槽內的第一金屬焊盤通過所述焊料接觸，其中，所述腔室內的溫度高于所述焊料的熔點；

對所述轉移板進行降溫，使所述焊料固化，形成Micro-LED基板。

可選的，所述對所述轉移板進行降溫的步驟包括：

去除所述腔室內的所述溶劑，對所述腔室進行降溫；或者，將所述轉移板從所述腔室內取出，對所述轉移板進行降溫。

可選的，所述溶劑為有機溶劑。

可選的，所述有機溶劑的密度低于預設密度閾值。

可選的，所述在所述轉移板的第一金屬焊盤上或所述Micro-LED晶粒的第二金屬焊盤上形成焊料的步驟包括：

將所述轉移板或所述Micro-LED晶粒置于液態焊料中，在所述轉移板的第一金屬焊盤上或所述Micro-LED晶粒的第二金屬焊盤上形成所述焊料。

可選的，所述焊料為共晶焊料。

可選的，所述腔室下方設有電磁鐵基臺；所述振動所述腔室的步驟包括：