[發(fā)明專利]Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移方法及Micro-LED基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810939699.6 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN109065677A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄒振游;李梁梁;霍亞洲;孟凡清;伍蓉;席文星;孔凱斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬焊盤 轉(zhuǎn)移板 絕緣膜層 襯底 溫度高于焊料 焊料 熔點 室內(nèi) 焊料固化 焊料接觸 振動腔室 溶劑 良率 | ||
1.一種Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，包括：
提供轉(zhuǎn)移板，所述轉(zhuǎn)移板包括：襯底以及位于所述襯底上的絕緣膜層和多個第一金屬焊盤，所述絕緣膜層上具有多個用于裝載Micro-LED晶粒的凹槽，所述第一金屬焊盤位于所述凹槽內(nèi)；
提供多個Micro-LED晶粒，所述Micro-LED晶粒的背部具有第二金屬焊盤，所述Micro-LED晶粒的背部為與所述Micro-LED晶粒的發(fā)光側(cè)相背的一側(cè)；
在所述轉(zhuǎn)移板的第一金屬焊盤上或所述Micro-LED晶粒的第二金屬焊盤上形成焊料；
將所述轉(zhuǎn)移板和所述Micro-LED晶粒置于一盛有溶劑的腔室內(nèi)，并振動所述腔室，使所述Micro-LED晶粒在振動作用下，落入所述轉(zhuǎn)移板的所述凹槽內(nèi)，落入所述凹槽內(nèi)的所述Micro-LED晶粒上的第二金屬焊盤與所述凹槽內(nèi)的第一金屬焊盤通過所述焊料接觸，其中，所述腔室內(nèi)的溫度高于所述焊料的熔點；
對所述轉(zhuǎn)移板進(jìn)行降溫，使所述焊料固化，形成Micro-LED基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述轉(zhuǎn)移板進(jìn)行降溫的步驟包括：
去除所述腔室內(nèi)的所述溶劑，對所述腔室進(jìn)行降溫；或者，將所述轉(zhuǎn)移板從所述腔室內(nèi)取出，對所述轉(zhuǎn)移板進(jìn)行降溫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶劑為有機(jī)溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑的密度低于預(yù)設(shè)密度閾值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述轉(zhuǎn)移板的第一金屬焊盤上或所述Micro-LED晶粒的第二金屬焊盤上形成焊料的步驟包括：
將所述轉(zhuǎn)移板或所述Micro-LED晶粒置于液態(tài)焊料中，在所述轉(zhuǎn)移板的第一金屬焊盤上或所述Micro-LED晶粒的第二金屬焊盤上形成所述焊料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述焊料為共晶焊料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
所述腔室下方設(shè)有電磁鐵基臺；所述振動所述腔室的步驟包括：
將所述電磁鐵基臺的對應(yīng)所述轉(zhuǎn)移板的指定區(qū)域的電磁鐵通電，并控制所述電磁鐵基臺振動，以帶動所述腔室振動，使所述Micro-LED晶粒在振動和電磁力作用下，落入所述指定區(qū)域?qū)?yīng)的所述凹槽內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述多個Micro-LED晶粒中包括N種類型的Micro-LED晶粒，其中，不同類型的所述Micro-LED晶粒發(fā)射的光線的顏色不同，N為大于或等于2的正整數(shù)；
所述將所述轉(zhuǎn)移板和所述Micro-LED晶粒置于一腔室內(nèi)，并振動所述腔室的步驟包括：
將所述轉(zhuǎn)移板置于所述腔室內(nèi)；
依次針對所述N種類型中的每一種類型的Micro-LED晶粒，執(zhí)行以下操作：
將一種類型的所述Micro-LED晶粒投入所述腔室內(nèi)，其中，投入所述腔室內(nèi)的Micro-LED晶粒與所述轉(zhuǎn)移板上的指定區(qū)域的凹槽對應(yīng)；
將所述電磁鐵基臺的對應(yīng)所述指定區(qū)域的電磁鐵通電，并控制所述電磁鐵基臺振動，以帶動所述腔室振動，使投入所述腔室內(nèi)的Micro-LED晶粒在振動和電磁力作用下，落入所述指定區(qū)域?qū)?yīng)的所述凹槽內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，
不同類型的所述Micro-LED晶粒的形狀不同；
所述凹槽包括N種形狀的凹槽，與所述N種類型的Micro-LED晶粒的形狀一一對應(yīng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，每一種形狀的所述凹槽僅能夠與對應(yīng)類型的所述Micro-LED晶粒適配。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司，未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810939699.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
