[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810938695.6 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN110838500B | 公開（公告）日： | 2023-02-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇柏仁;許國君;曾春銘 | 申請（專利權(quán)）人： | 英屬開曼群島商镎創(chuàng)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京先進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11648 | 代理人： | 趙志顯;張覲 |
| 地址： | 中國臺灣臺南市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微型 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，包括：
一基板，具有一承載表面及一工作電路；以及
多個顯示單元，設(shè)于該承載表面上，每一該顯示單元為一顯示封裝體且包含多個像素，每一該像素包含至少三個不同顏色的微型發(fā)光二極管，其中該些顯示單元通過該工作電路電性連接于該基板，且該些顯示單元當(dāng)中的任意兩個相鄰的顯示單元之間存在一間距，其中該任意兩個相鄰的顯示單元的側(cè)壁底端彼此分隔，且該間距的寬度具有變化；
其中該間距具有一最大寬度與一最小寬度，該最小寬度與該最大寬度的比值大于或等于0.8且小于或等于0.95。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，該間距靠近該基板的寬度小于該間距遠(yuǎn)離該基板的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，該間距的寬度自該基板朝遠(yuǎn)離該基板的方向漸增。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一顯示單元具有遠(yuǎn)離該承載表面的一頂表面及鄰接該承載表面的一底表面，該頂表面于該基板的正投影面積小于該底表面于該基板的正投影面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，該些顯示單元于該基板上的一正投影面積總和小于該承載表面的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一微型發(fā)光二極管的高度與每一顯示單元的高度的比值小于0.15。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，還包括：
多個遮光結(jié)構(gòu)，每一遮光結(jié)構(gòu)覆蓋于該些顯示單元中對應(yīng)的一個顯示單元的一頂表面，每一遮光結(jié)構(gòu)于對應(yīng)的顯示單元上的頂表面的覆蓋面積與對應(yīng)的該顯示單元的頂表面的面積比值大于或等于0.5且小于或等于0.95。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一顯示單元具有一側(cè)表面，每一遮光結(jié)構(gòu)完全覆蓋對應(yīng)的顯示單元的側(cè)表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一遮光結(jié)構(gòu)于該基板上的正投影覆蓋于對應(yīng)的顯示單元內(nèi)的部分微型發(fā)光二極管于該基板上的正投影，該遮光結(jié)構(gòu)于該基板上的正投影與該部分微型發(fā)光二極管于該基板上的正投影的重疊面積與該部分微型發(fā)光二極管于該基板上的正投影的面積的比值小于或等于0.4。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，還包括：
一蓋板，覆蓋于該些顯示單元且具有一覆蓋表面朝向該基板，該覆蓋表面的一部分與該任意兩個相鄰的顯示單元的側(cè)表面以及該承載表面的一部分環(huán)繞形成一空隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一顯示單元于該基板上的邊緣與該些微型發(fā)光二極管當(dāng)中的部分微型發(fā)光二極管的邊緣相鄰且相距范圍小于600微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一顯示單元具有多個側(cè)表面，每一側(cè)表面與該基板的該承載表面形成一夾角A，其中該夾角A介于20至80度之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，每一顯示單元具有一高度H，且每一微型發(fā)光二極管具有一寬度W，其中
且Pitch為顯示單元中任意兩個相鄰的像素的一間距。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，該基板的該承載表面上定義有一切割道，該切割道介于該任意兩個相鄰的顯示單元之間且位于該間距內(nèi)，該切割道與該任意兩個相鄰的顯示單元之一于該基板上的一邊緣的距離小于100微米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英屬開曼群島商镎創(chuàng)科技股份有限公司，未經(jīng)英屬開曼群島商镎創(chuàng)科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810938695.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
