[發(fā)明專利]氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810934659.2 | 申請日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN110835098A | 公開(公告)日: | 2020-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉立偉;郭玉芬;王汝冰;李奇;陳明亮;李偉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | C01B21/064 | 分類號: | C01B21/064;C01B32/162;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 納米 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料及其制備方法。所述的制備方法包括:使作為插層劑的催化劑前驅(qū)體與氮化硼原料進(jìn)行插層反應(yīng),制得氮化硼插層物;在設(shè)定溫度下,使氮化硼被解理為氮化硼納米片,以及,使催化劑前驅(qū)體被還原為催化劑,所述催化劑為生長碳納米管所需的催化劑;將所獲薄層氮化硼納米片與催化劑的復(fù)合物置于適合碳納米管生長的環(huán)境中,進(jìn)行碳納米管的生長,從而獲得目標(biāo)產(chǎn)物。本發(fā)明的制備工藝簡單,成本低廉,環(huán)境友好,可以快速大量的制備氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合體系粉末,所獲的產(chǎn)物是新型的原位混合材料體系,其可以在特種氣體和危廢液體的吸附、絕緣導(dǎo)熱材料添加劑以及抗磨材料添加劑等多種領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種復(fù)合納米材料的制備方法,特別涉及一種氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料及其制備方法,屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
近年來,作為納米科學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),二維納米材料尤其是石墨烯、硫化鉬、氮化硼等,由于具有表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、宏觀隧道效應(yīng)等一系列特殊的量子效應(yīng),使其在聲、光、電、磁、熱以及力學(xué)等方面的性質(zhì)較宏觀材料發(fā)生重大的變化,加大了人們對二維納米材料的研究熱情。二維納米材料氮化硼具有與石墨烯及其相似的結(jié)構(gòu)和性質(zhì),都具有非常高的導(dǎo)熱特性,并且氮化硼納米薄片還有比石墨烯更好的化學(xué)穩(wěn)定性、耐熱特性和疏水特性。氮化硼納米片還有著非常優(yōu)異的絕緣特性,氮化硼為直接帶隙的寬帶隙半導(dǎo)體(帶隙~5.9eV),性能接近絕緣,而其電阻隨溫度變化非常微弱,25℃和2000℃時電阻率均為104Ω·cm,是陶瓷材料中最好的高溫絕緣材料。而碳納米管是一種一維碳納米材料,有著非常完整的分子結(jié)構(gòu),并且具有非常高的一維熱導(dǎo)率,化學(xué)穩(wěn)定性和極好的電子傳輸性能。將兩種材料混合起來,有著非常多的獨(dú)特的應(yīng)用,如稀有氣體吸附、有機(jī)污染物吸附,耐磨增強(qiáng)材料,和絕緣導(dǎo)熱添加劑等。氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料用作絕緣導(dǎo)熱添加材料的原理如下:氮化硼的寬禁帶可以有效的阻止電流的穿過,提高材料的耐壓強(qiáng)度,起到絕緣的關(guān)鍵作用;而碳納米管具有非常好的導(dǎo)電性可以使整個材料體系的所承受的電壓均勻分散,不至于導(dǎo)致局部電壓過大而擊穿,從而使整個材料體系具有非常優(yōu)異的耐電壓特性。無論是氮化硼還是碳納米管,熱導(dǎo)率都非常高,將其作為導(dǎo)熱添加劑填入到材料體系中,都可以使整個材料體系的熱導(dǎo)率提高。
目前在薄層氮化硼納米片上生長碳納米管的方法,在國內(nèi)外還是空白,人們對碳納米管與氮化硼的復(fù)合材料制備僅僅停留在直接機(jī)械混合階段,這種制備方法存在這很多問題,例如:
(1)氮化硼納米片制備主要依靠球磨方法,這種制備方法獲得的氮化硼較厚并且片層尺寸較小,不利于后期應(yīng)用;
(2)直接將氮化硼納米片和碳納米管通過機(jī)械混合的方式進(jìn)行分散,很難達(dá)到均勻分散的效果,尤其是碳納米管,受其結(jié)構(gòu)限制,很容易相互糾結(jié)在一起,而導(dǎo)致分散不均勻,這樣,在將其作為絕緣散熱材料就存在一定風(fēng)險(xiǎn);
(3)直接機(jī)械混合的方法進(jìn)行氮化硼和碳納米管復(fù)合,碳納米管和氮化硼之間的搭接會存在阻礙,不利于材料體系作為整體發(fā)揮作用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料及其制備方法,以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為實(shí)現(xiàn)前述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括:
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其包括:
(1)使作為插層劑的催化劑前驅(qū)體與氮化硼原料進(jìn)行插層反應(yīng),制得氮化硼插層物;
(2)在設(shè)定溫度下,使氮化硼被解理為氮化硼納米片,以及使催化劑前驅(qū)體被還原為催化劑,所述催化劑為生長碳納米管所需的催化劑;
(3)將步驟(2)所獲反應(yīng)產(chǎn)物置于適合碳納米管生長的環(huán)境中,進(jìn)行碳納米管的生長,從而獲得氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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