[發(fā)明專利]氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810934659.2 | 申請日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN110835098A | 公開(公告)日: | 2020-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉立偉;郭玉芬;王汝冰;李奇;陳明亮;李偉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | C01B21/064 | 分類號: | C01B21/064;C01B32/162;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 納米 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于包括:
(1)使作為插層劑的催化劑前驅(qū)體與氮化硼原料進行插層反應(yīng),制得氮化硼插層物;
(2)在設(shè)定溫度下,使氮化硼被解理為氮化硼納米片,以及使催化劑前驅(qū)體被還原為催化劑,所述催化劑為生長碳納米管所需的催化劑;
(3)將步驟(2)所獲反應(yīng)產(chǎn)物置于適合碳納米管生長的環(huán)境中,進行碳納米管的生長,從而獲得氮化硼納米片/碳納米管復(fù)合材料。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)具體包括:將質(zhì)量比不低于3:1的催化劑前驅(qū)體與氮化硼原料混合并置于密封環(huán)境中進行插層反應(yīng),反應(yīng)溫度200-800℃,反應(yīng)時間為1-60小時。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述催化劑前驅(qū)物與氮化硼原料的質(zhì)量比為3:1-50:1。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的制備方法,其特征在于:所述催化劑前驅(qū)體選自金屬化合物。
5.如權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:所述金屬化合物包括氯化鐵、氯化鎳、溴化鐵、溴化鎳、氯化銅、氯化鋁中的任意一種或兩種以上的組合。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(2)具體包括:將氮化硼插層物置入密封反應(yīng)室內(nèi),并通入還原性氣體形成還原性氣氛,再使所述反應(yīng)室內(nèi)的溫度在30s內(nèi)由室溫升至設(shè)定溫度,使氮化硼被解理為氮化硼納米片,并使催化劑前驅(qū)體被還原為催化劑,所述設(shè)定溫度高于800℃。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于:所述設(shè)定溫度為1000-1500℃;和/或,使所述反應(yīng)室內(nèi)的溫度由室溫升至設(shè)定溫度的時間小于10s;和/或,所述還原性氣體為氫氣。
8.如權(quán)利要求1、6所述的制備方法,其特征在于:所述催化劑為金屬納米顆粒;和/或,所述催化劑的粒徑小于100nm。
9.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(3)具體包括:采用化學氣相沉積法生長碳納米管,其中碳源氣體流量為1-1000sccm,氫氣流量為10-1000sccm,惰性氣體流量為0-1000sccm,生長壓力為1-800torr,生長溫度為500-1500℃,生長時間在1分鐘以上。
10.如權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于:所述碳源包括氣態(tài)碳源或液態(tài)碳源,所述液相碳源包括甲醇、乙醇、丙醇和芳香烴中的任意一種或兩種以上的組合,所述氣相碳源包括甲烷、乙烷、丙烷、乙炔、乙烯和丙烯中的任意一種或兩種以上的組合。
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