[發(fā)明專利]外延結(jié)構(gòu)的減薄方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810933827.6
• 申請(qǐng)日: 2018-08-16
• 公開（公告）號(hào): CN109065449B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范謙;倪賢鋒;何偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L21/3065
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• 代理人: 暫無信息

1.一種外延結(jié)構(gòu)的減薄方法，其特征在于，包括：

依次形成第二外延層、刻蝕阻擋層及第一外延層，其中，所述第一外延層包括勢(shì)壘層加氮化鎵溝道層；所述第二外延層包括氮化鎵緩沖層；

通過晶圓鍵合和襯底剝離將所述第二外延層、所述刻蝕阻擋層及所述第一外延層倒置以得到一待減薄的外延結(jié)構(gòu)，所示外延結(jié)構(gòu)包括所述第一外延層、所述第二外延層和位于所述第一外延層與第二外延層之間的所述刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層為AlGaN/GaN或者ScAlN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)；

對(duì)所述第二外延層的表面進(jìn)行針對(duì)性的刻蝕預(yù)處理以改善所述第二外延層的厚度均勻性；

以第一刻蝕速率對(duì)所述第二外延層進(jìn)行刻蝕，直至第二外延層達(dá)到預(yù)定厚度，其中，所述第二外延層達(dá)到預(yù)定厚度后，研磨所述第二外延層表面，去除刻蝕過程中產(chǎn)生的腐蝕坑；

以第二刻蝕速率對(duì)所述第二外延層進(jìn)行刻蝕，去除剩余的第二外延層；

對(duì)所述刻蝕阻擋層進(jìn)行研磨，去除所述刻蝕阻擋層，暴露出第一外延層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)的減薄方法，其特征在于，所述第一刻蝕速率大于所述第二刻蝕速率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)的減薄方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層材料為ScAlN或者AlGaN。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)的減薄方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的厚度小于100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)的減薄方法，其特征在于，所述預(yù)定厚度為0.5um-1um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)的減薄方法，其特征在于，所述研磨為化學(xué)機(jī)械研磨。