[發明專利]扇出型半導體封裝件

有效

• 申請號: 201810933219.5
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN109411434B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 蘇源煜;白龍浩;金斗一;許榮植
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 汪喆;馬翠平

1.一種扇出型半導體封裝件，包括：

芯構件，包括多個絕緣層和多個布線層并且具有貫穿所述多個絕緣層的一部分的盲腔；

半導體芯片，設置在所述盲腔中并且具有有效表面和與所述有效表面背對的無效表面，所述有效表面上設置有連接焊盤；

包封劑，包封所述芯構件的至少部分和所述半導體芯片的所述有效表面的至少部分并且填充所述盲腔的至少部分；及

連接構件，設置在所述芯構件和所述半導體芯片的所述有效表面上并且包括重新分布層，所述重新分布層連接到所述連接焊盤，

其中，所述多個布線層包括天線圖案和接地圖案，

所述天線圖案和所述接地圖案設置在不同的水平面上，并且

所述天線圖案通過所述重新分布層連接到所述連接焊盤，并且

其中，所述多個布線層還包括屏障圖案，所述屏障圖案的一部分通過所述盲腔從所述多個絕緣層的所述一部分暴露，并且所述半導體芯片的所述無效表面附著到所述屏障圖案的被暴露的所述一部分。

2.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述多個布線層還包括濾波器圖案，并且

所述天線圖案按照信號方式通過所述濾波器圖案和所述重新分布層連接到所述連接焊盤。

3.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述芯構件包括：第一絕緣層；第一布線層，設置在所述第一絕緣層的第一表面上；第二布線層，設置在所述第一絕緣層的第二表面上；第一過孔，貫穿所述第一絕緣層并且使所述第一布線層和所述第二布線層彼此連接；第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層的所述第一表面上并且覆蓋所述第一布線層；第三布線層，設置在所述第二絕緣層上；及第二過孔，貫穿所述第二絕緣層并且使所述第一布線層和所述第三布線層彼此連接，

所述第一布線層包括所述接地圖案和所述屏障圖案，

所述第三布線層包括所述天線圖案，并且

所述盲腔貫穿所述第一絕緣層。

4.根據權利要求3所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第二布線層包括濾波器圖案，并且

所述天線圖案按照信號方式通過所述濾波器圖案和所述重新分布層連接到所述連接焊盤。

5.根據權利要求3所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述屏障圖案用作所述接地圖案。

6.根據權利要求3所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第二絕緣層的介電質的介電常數大于所述第一絕緣層的介電質的介電常數。

7.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述芯構件包括：第一絕緣層；第一布線層，設置在所述第一絕緣層的第一表面上；第二布線層，設置在所述第一絕緣層的第二表面上；第一過孔，貫穿所述第一絕緣層并且使所述第一布線層和所述第二布線層彼此連接；第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層的所述第一表面上并且覆蓋所述第一布線層；第三布線層，設置在所述第二絕緣層上；第二過孔，貫穿所述第二絕緣層并且使所述第一布線層和所述第三布線層彼此連接；第三絕緣層，設置在所述第二絕緣層上并且覆蓋所述第三布線層；第四布線層，設置在所述第三絕緣層上；及第三過孔，貫穿所述第三絕緣層并且使所述第三布線層和所述第四布線層彼此連接，

第三布線層包括所述接地圖案，并且

所述第四布線層包括所述天線圖案。

8.根據權利要求7所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一布線層和所述第二布線層中的至少一者包括濾波器圖案，并且

所述天線圖案按照信號方式通過所述濾波器圖案和所述重新分布層連接到所述連接焊盤。

9.根據權利要求7所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一布線層包括所述屏障圖案，并且

所述盲腔貫穿所述第一絕緣層。

10.根據權利要求7所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第三布線層包括所述屏障圖案，并且

所述盲腔貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。