[發明專利]晶圓級芯片的封裝方法及結構有效
| 申請號: | 201810932328.5 | 申請日: | 2018-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN109119346B | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 彭彧;吳冬梅;余訓松;陸崢 | 申請(專利權)人: | 嘉盛半導體(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;陳偉 |
| 地址: | 215027 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級 芯片 封裝 方法 結構 | ||
本發明提供了一種晶圓級芯片的封裝方法及結構,該方法包括:在晶圓正面的焊墊上形成導電凸柱;在導電凸柱上形成焊柱,焊柱的橫截面積沿其厚度方向不變;在晶圓的正面、導電凸柱和焊柱的外圍形成第一塑封層;對第一塑封層執行減薄工序,使焊柱裸露。本發明提供了一種晶圓級芯片的封裝方法及結構,可焊性好,制備工藝簡單,成本低,良率高,封裝的產品尺寸更小,厚度更薄。
技術領域
本發明涉及芯片封裝技術領域,尤其涉及一種晶圓級芯片的封裝方法及結構。
背景技術
本部分的描述僅提供與本發明公開相關的背景信息,而不構成現有技術。
晶圓凸點技術是通過一系列工藝方法在裸晶圓的金屬焊墊上形成金屬凸柱來實現封裝體與外界的電互連。實際中,可以在金屬凸柱上植球,并借助植球實現封裝的芯片產品與外界的電連接。其中,可焊性是檢驗植球能否可靠地與外界實現電連接的指標。
基于電子設備的輕薄化的發展趨勢,要求封裝的芯片產品的尺寸更小、厚度更薄。然而,在該趨勢的要求下,當前芯片產品的植球的可焊性要求難以被簡單、低成本的滿足。
應該注意,上面對技術背景的介紹只是為了方便對本發明的技術方案進行清楚、完整的說明,并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本發明的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。
發明內容
基于前述的現有技術缺陷,本發明實施例提供了一種晶圓級芯片的封裝方法及結構,其可焊性好,制備工藝簡單,成本低,良率高,封裝的產品尺寸更小,厚度更薄。
為了實現上述目的,本發明提供了如下的技術方案。
一種晶圓級芯片的封裝方法,包括:在晶圓正面的焊墊上形成導電凸柱;在所述導電凸柱上形成焊柱,所述焊柱的橫截面積沿其厚度方向不變;在所述晶圓的正面、所述導電凸柱和所述焊柱的外圍形成第一塑封層;對所述第一塑封層執行減薄工序,使所述焊柱裸露。
一種晶圓級芯片的封裝結構,包括:晶片單元,其正面的焊墊上形成多個有導電凸柱,多個所述導電凸柱上形成有焊柱,多個所述焊柱的橫截面積沿其厚度方向不變;覆蓋在所述晶片單元正面、所述導電凸柱和所述焊柱的外圍的第一塑封層,多個所述焊柱露出所述第一塑封層,且多個所述焊柱露出所述第一塑封層的部分的形狀和截面面積相同。
本發明實施例提供的晶圓級芯片的封裝方法及結構,通過采用沿厚度方向的形狀和截面面積不發生變化的焊柱,來替代植球。則打磨減薄后,多個焊柱裸露出來的形狀和截面面積均是相同的。從而,減省了工藝步驟,焊柱裸露的形狀和截面面積易于控制,從而制備工序簡單,成本得以降低,封裝良率大大提升。
同時,焊柱連同塑封層一起被打磨減薄,使得焊柱的端面與塑封層的表面平齊。如此,相較于現有技術的植球,焊柱不會占據封裝結構的厚度方向的空間尺寸,使得封裝結構的尺寸更小,厚度更薄,從而為小體積產品提供了更優的封裝解決方案。
參照后文的說明和附圖,詳細公開了本發明的特定實施例,指明了本發明的原理可以被采用的方式。應該理解,本發明的實施例在范圍上并不因而受到限制。在所附權利要求的精神和條款的范圍內,本發明的實施例包括許多改變、修改和等同。
針對一種實施例描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施例中使用,與其它實施例中的特征相組合,或替代其它實施例中的特征。
應該強調,術語“包括/包含”在本文使用時指特征、整件、步驟或組件的存在,但并不排除一個或更多個其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





