[發明專利]晶圓級芯片的封裝方法及結構

有效

• 申請號: 201810932328.5
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN109119346B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 彭彧;吳冬梅;余訓松;陸崢
• 申請（專利權）人: 嘉盛半導體(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;陳偉

1.一種晶圓級芯片的封裝方法，其特征在于，包括：

在晶圓正面的焊墊上形成導電凸柱，所述導電凸柱的橫截面積沿其厚度方向不變；

在所述導電凸柱上形成焊柱，所述焊柱的橫截面積沿其厚度方向不變；

在所述晶圓的正面、所述導電凸柱和所述焊柱的外圍形成第一塑封層，所述第一塑封層的表面高出所述焊柱的頂端；

對所述第一塑封層執行減薄工序，使所述焊柱裸露，所述第一塑封層的厚度減薄量大于其與所述焊柱頂端之間的高度差，從而，減薄第一塑封層后，所述焊柱的剩余厚度小于其初始厚度；通過采用沿厚度方向的形狀和截面面積不發生變化的焊柱來替代植球，打磨減薄后，多個焊柱裸露出來的形狀和截面面積均是相同的。

2.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在形成導電凸柱的步驟之前，所述方法還包括：在所述焊墊上形成種子層，所述導電凸柱形成在所述種子層上，所述種子層為通過電鍍工藝形成。

3.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述導電凸柱和所述焊柱均通過電鍍工藝形成，且所述焊柱的橫截面形狀與所述導電凸柱的橫截面形狀相同。

4.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，

在形成第一塑封層的步驟之前，所述方法還包括：在所述晶圓正面對應于切割道的位置處形成凹槽；

相應地，在形成第一塑封層時，所述第一塑封層填充在所述凹槽中。

5.如權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述凹槽為對所述晶圓正面對應于切割道的位置處進行切割得到，切割深度小于所述晶圓的厚度。

6.如權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，在減薄第一塑封層的步驟之后，所述方法還包括：對所述晶圓的背面執行減薄工序，使填充在所述凹槽中的第一塑封層裸露。

7.如權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，在減薄晶圓背面的步驟之后，所述方法還包括：沿所述切割道切割所述第一塑封層，使多個晶片單元互相分離。

8.如權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，在沿切割道切割第一塑封層的步驟之前，還包括：在所述晶圓的背面形成第二塑封層。

9.一種晶圓級芯片的封裝結構，其特征在于，所述晶圓級芯片的封裝結構采用如權利要求1至8中任一所述的封裝方法制作而成，所述晶圓級芯片的封裝結構包括：

晶片單元，其正面的焊墊上形成有多個導電凸柱，多個所述導電凸柱上形成有焊柱，多個所述焊柱的橫截面積沿其厚度方向不變；

覆蓋在所述晶片單元正面、所述導電凸柱和所述焊柱的外圍的第一塑封層，多個所述焊柱露出所述第一塑封層，且多個所述焊柱露出所述第一塑封層的部分的形狀和截面面積相同；通過采用沿厚度方向的形狀和截面面積不發生變化的焊柱來替代植球，打磨減薄后，多個焊柱裸露出來的形狀和截面面積均是相同的。