[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管外延片及其制作方法在審

申請號：	201810932050.1	申請日：	2018-08-16
公開（公告）號：	CN109301038A	公開（公告）日：	2019-02-01
發明（設計）人：	葛永暉;郭炳磊;王群;呂蒙普;胡加輝;李鵬	申請（專利權）人：	華燦光電（浙江）有限公司
主分類號：	H01L33/00	分類號：	H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32
代理公司：	北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138	代理人：	徐立
地址：	322000 浙江省***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	電子阻擋層空穴氮化鎵基發光二極管外延片源層電子提供層襯底半導體技術領域二維空穴氣發光效率空穴復合依次層疊有效促進遷移率制作發光
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【權利要求書】：

1.一種氮化鎵基發光二極管外延片，所述氮化鎵基發光二極管外延片包括襯底、電子提供層、有源層、電子阻擋層和空穴提供層，所述電子提供層、所述有源層、所述電子阻擋層和所述空穴提供層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述電子阻擋層包括P型氮化鋁鎵層以及插入在所述P型氮化鋁鎵層中的至少一個N型氮化鎵層，所述P型氮化鋁鎵層的厚度大于所述電子阻擋層的厚度的1/2。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述電子阻擋層中每個N型氮化鎵層的厚度為2nm～10nm。

3.根據權利要求2所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述電子阻擋層中N型氮化鎵層的數量為2個～10個。

4.根據權利要求3所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述電子阻擋層的厚度為50nm～150nm。

5.根據權利要求1～4任一項所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述電子阻擋層中每個N型氮化鎵層中N型摻雜劑的摻雜濃度與所述P型氮化鋁鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度相同。

6.根據權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述電子阻擋層中每個N型氮化鎵層中N型摻雜劑的摻雜濃度為10¹⁸cm^-3～10²⁰cm^-3，所述P型氮化鋁鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度為10¹⁸cm^-3～10²⁰cm^-3。

7.根據權利要求1～4任一項所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述電子提供層包括N型氮化鎵層和至少一個P型氮化鎵層，所述至少一個P型氮化鎵層插入在所述電子提供層的N型氮化鎵層中，所述電子提供層中N型氮化鎵層的厚度大于所述電子提供層的厚度的1/2。

8.一種氮化鎵基發光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長電子提供層、有源層、電子阻擋層和空穴提供層；

其中，所述電子阻擋層包括P型氮化鋁鎵層以及插入在所述P型氮化鋁鎵層中的至少一個N型氮化鎵層，所述P型氮化鋁鎵層的厚度大于所述電子阻擋層的厚度的1/2。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述電子阻擋層中N型氮化鎵層的生長條件與所述P型氮化鋁鎵層的生長條件相同，所述生長條件包括生長溫度和生長壓力。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述電子阻擋層的生長溫度為850℃～1000℃，所述電子阻擋層的生長壓力為100torr～500torr。