[發明專利]一種晶體管以及制作方法

在審

• 申請號: 201810927820.3
• 申請日: 2018-08-15
• 公開（公告）號: CN109103097A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市誠朗科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/735;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

本發明涉及一種晶體管及其制作方法，所述晶體管包括第一導電類型的襯底；第二導電類型的外延層，生長在所述襯底的第一表面；形成于所述外延層內的第二導電類型發射區，所述發射區包括在所述襯底的第一表面向上依次形成的第一隔離層，發射極層以及第二隔離層；形成于所述外延層內的第一導電類型的基區；形成于所述基區與所述襯底之間的基區隔離區；所述發射極層位于基區一側的側面完全與基區接觸，或者發射極層位于基區一側的側面一部分與基區接觸，另一部分被所述基區隔離區覆蓋；本發明涉及的晶體管能方便對發射效率進行調節。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體的說是一種晶體管及其制作方法。

背景技術

現有技術中，基區均通過注入工藝后再進行退火工藝形成，發射極工藝通過在多晶內大劑量注入，之后再進行高溫快速熱退火工藝，使得雜質擴散進入基區形成發射結，因此發射極受工藝影響很大，器件的發射效率不穩定，若要對發射效率進行調整，也勢必會收到其他工藝的影響，進而對發射效率及器件的放大系數的調節非常不方便。

發明內容

鑒于以上情況，本發明所要解決其技術問題所采用以下技術方案來實現。

本發明提供了一種晶體管的制作方法，所述制作方法包括：提供第一導電類型的襯底；在所述襯底的第一表面生長具有第二導電類型的外延層；在所述外延層內形成第一溝槽，所述第一溝槽貫穿所述外延層且一端與所述襯底相連接；在所述外延層的側壁上形成側墻，所述側墻形成于所述第一溝槽內且一端接觸于所述襯底；在所述第一溝槽內形成發射區，所述發射區包括在所述襯底的第一表面向上依次形成的第一隔離層，發射極層以及第二隔離層；除去所述側墻，形成基區溝槽，在所述基區溝槽底部形成基區隔離區；在所述基區溝槽內形成第一導電類型的基區，所述發射極層位于所述基區一側的側面完全與所述基區接觸，或者所述發射極層位于所述基區一側的側面一部分與所述基區接觸，另一部分被所述基區隔離區覆蓋。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：通過在發射極層的上下兩側設置第一隔離層以及第二隔離層，然后通過溝槽內的基區隔離區的高度來定義基區與所述發射極層側面的接觸面積，可以在不受其他工藝步驟的影響下，方便調節發射效率及器件的放大系數。

本發明還提供了一種晶體管，所述晶體管包括：第一導電類型的襯底；第二導電類型的外延層，生長在所述襯底的第一表面；形成于所述外延層內的第二導電類型發射區，所述發射區包括在所述襯底的第一表面向上依次形成的第一隔離層，發射極層以及第二隔離層；形成于所述外延層內的第一導電類型的基區；形成于所述基區與所述襯底之間的基區隔離區；所述發射極層位于基區一側的側面完全與基區接觸，或者發射極層位于基區一側的側面一部分與基區接觸，另一部分被所述基區隔離區覆蓋；形成在所述外延層遠離所述基區另一側區域內的第二導電類型的集電極接觸區；及形成在所述外延層內的集電區，所述集電區位于所述集電極接觸區與所述基區之間，且所述集電區的摻雜濃度低于所述集電極接觸區。

本發明通過在發射極層的上下兩側設置第一隔離層以及第二隔離層，然后通過溝槽內的基區隔離區的高度來定義基區與所述發射極層側面的接觸面積，可以在不受其他工藝步驟的影響下，方便調節發射效率及器件的放大系數。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。

圖1是本發明的提出晶體管的制造方法的流程示意圖；

圖2是本發明提出的晶體管的剖面結構示意圖；

圖3至圖15是本發明提出的的晶體管的制造方法的結構示意圖；

圖中：1、襯底；2、外延層；3、發射區；41、基區隔離區；42、基區；31、第一隔離層；32、發射極層；33、第二隔離層；51、集電極接觸區；52、集電區；a1、第一溝槽；b1、側墻；a2、基區溝槽；c1、第一絕緣層；c2、第二絕緣層；c3、第三絕緣層；6、介質層；71、集電極；72、基極；73、發射極。