[發明專利]一種晶體管以及制作方法

在審

• 申請號: 201810927820.3
• 申請日: 2018-08-15
• 公開（公告）號: CN109103097A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市誠朗科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/735;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供第一導電類型的襯底；

在所述襯底的第一表面生長具有第二導電類型的外延層；

在所述外延層內形成第一溝槽，所述第一溝槽貫穿所述外延層且一端與所述襯底相連接；

在所述外延層的側壁上形成側墻，所述側墻形成于所述第一溝槽內且一端接觸于所述襯底；

在所述第一溝槽內形成發射區，所述發射區包括在所述襯底的第一表面向上依次形成的第一隔離層，發射極層以及第二隔離層；

除去所述側墻，形成基區溝槽，在所述基區溝槽底部形成基區隔離區；

在所述基區溝槽內形成第一導電類型的基區；所述發射極層位于所述基區一側的側面完全與所述基區接觸，或者所述發射極層位于所述基區一側的側面一部分與所述基區接觸，另一部分被所述基區隔離區覆蓋。

2.根據權利要求1所述晶體管的制作方法，其特征在于，在所述外延層的側壁上形成所述側墻的步驟包括：

在所述外延層的上表面，及所述第一溝槽的底面及側壁上淀積第一絕緣層；

回刻蝕所述第一絕緣層，形成所述側墻。

3.根據權利要求1所述晶體管的制作方法，其特征在于，形成所述基區隔離區的具體步驟包括：

在所述外延層上表面及所述基區溝槽底面及側壁上淀積第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上淀積第三絕緣層，以將所述基區溝槽填滿；

去除所述外延層上表面的第二絕緣層，以及部分去除所述基區溝槽側壁上的第二絕緣層，以使第二絕緣層部分覆蓋所述發射極層或者不覆蓋發射極層；

去除所述基區溝槽內的第三絕緣層，所保留的第二絕緣層為基區隔離區。

4.根據權利要求2所述晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層與所述第三絕緣層材質不同，對所述第二絕緣層及所述第三絕緣層的去除方式均為濕法刻蝕。

5.根據權利要求1所述晶體管的制作方法，其特征在于，在形成所述基區之后，所述方法還包括：

在所述外延層遠離所述基區另一側的區域內通過第一注入形成第二導電類型集電極接觸區，所述集電極接觸區與所述基區之間的外延層區域為集電區，所述集電極接觸區的摻雜濃度高于所述集電區。

6.根據權利要求5所述晶體管的制作方法，其特征在于，在形成所述側墻之后，在所述第一溝槽內形成發射區之前，所述方法還包括，在所述第二導電類型的外延層的上表面形成阻擋層；

除去所述側墻的步驟還包括：

除去所述阻擋層。

7.根據權利要求1所述晶體管的制作方法，其特征在于，在所述外延層區域內形成第二導電類型的集電區之后，所述方法還包括：在所述外延層上方生長介質層及在所述介質層上形成集電極、基極及發射極，將所述集電極通過所述介質層與所述集電極接觸區電連接，將所述基極通過所述介質層與所述基區電連接，及將所述發射極依次通過所述介質層及第二隔離層與所述發射極層電連接。

8.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：

第一導電類型的襯底；

第二導電類型的外延層，生長在所述襯底的第一表面；

形成于所述外延層內的第二導電類型發射區，所述發射區包括在所述襯底的第一表面向上依次形成的第一隔離層，發射極層以及第二隔離層；

形成于所述外延層內的第一導電類型的基區；

形成于所述基區與所述襯底之間的基區隔離區；所述發射極層位于所述基區一側的側面完全與所述基區接觸，或者所述發射極層位于所述基區一側的側面一部分與所述基區接觸，另一部分被所述基區隔離區覆蓋；

形成在所述外延層遠離所述基區另一側區域內的第二導電類型的集電極接觸區；及

形成在所述外延層內的集電區，所述集電區位于所述集電極接觸區與所述基區之間，且所述集電區的摻雜濃度低于所述集電極接觸區。

9.根據權利要求8所述晶體管，其特征在于，所述發射極層的摻雜濃度高于所述第一隔離層及第二隔離層。

10.根根據權利要求8所述晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括形成于所述外延層上方的介質層及形成于所述介質層上的集電極、基極及發射極，所述集電極通過所述介質層與所述集電極接觸區電連接，所述基極通過所述介質層與所述基區電連接，所述發射極依次通過所述介質層及第二隔離層與所述發射極層電連接。