[發(fā)明專利]極小漏率真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810927607.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-15
• 公開（公告）號(hào): CN109186864B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任國(guó)華;孟冬輝;閆榮鑫;孫立臣;郭崇武;王莉娜;汪力;張海峰;孫立志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所
• 主分類號(hào): G01M3/00
• 分類號(hào): G01M3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種極小漏率真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔，包括氣體抽除裝置、壓力側(cè)支撐法蘭、真空側(cè)支撐、漏孔測(cè)試端接口和多余氣體抽除接口，其中，示漏氣體通過壓力側(cè)支撐法蘭中間的壓力側(cè)通孔加壓到滲透材料上，氣體抽除裝置靠近真空側(cè)支撐的圓周上設(shè)置抽氣小孔，通過雙道密封圈確保該空間內(nèi)處于真空狀態(tài)；壓力側(cè)支撐法蘭面對(duì)真空側(cè)支撐一側(cè)上加工有第三密封圈安裝槽，以固定用于密封的第三密封圈以起到密封示漏氣體不從滲透材料邊緣處泄漏。本發(fā)明能夠有效減少?gòu)臐B透材料邊緣泄漏出來的氣體對(duì)標(biāo)準(zhǔn)漏孔漏率的影響，降低漏率測(cè)量不確定度，提高超靈敏度檢漏的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于真空檢漏工裝技術(shù)領(lǐng)域，具體來說，本發(fā)明涉及一種極小漏率的標(biāo)準(zhǔn)漏孔，該標(biāo)準(zhǔn)漏孔能解決超靈敏度檢漏中標(biāo)定的標(biāo)準(zhǔn)問題。

背景技術(shù)

隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，元器件的尺寸越來越小，元器件的存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)、運(yùn)行壽命長(zhǎng)、可靠性高，這些因素導(dǎo)致微電子元器件的密封性能指標(biāo)不斷攀升。美軍標(biāo)最新標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883J對(duì)等級(jí)較高的混合電路加嚴(yán)了判據(jù)，對(duì)于V＜0.05cm³的微電子元器件，其拒收漏率達(dá)到了1.32×10^-12Pa·m³/s。2010年9月發(fā)布的美軍標(biāo)MIL-STD-750F，對(duì)不同體積、不同壽命電子元件密封合格判據(jù)進(jìn)行重新規(guī)定，其中對(duì)于小體積、長(zhǎng)壽命器件的合格判據(jù)達(dá)到6.0×10^-13Pa·m³/s。我國(guó)的國(guó)軍標(biāo)GJB548是與美軍標(biāo)MIL-STD-883等同的，我國(guó)的專家正在參考美軍標(biāo)的修改對(duì)國(guó)軍標(biāo)進(jìn)行修訂，新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于體積在0.002cm³～0.006cm³范圍內(nèi)、壽命為2000天的元件合格判據(jù)為6×10^-13Pa·m³/s。例如，一種用于紅外焦平面探測(cè)器組件的長(zhǎng)壽命微電子元器件，由于其壽命長(zhǎng)、體積小，所以要求其漏率優(yōu)于3×10^-14Pa·m³/s；一種真空靜電陀螺要求漏率優(yōu)于1×10^-14Pa·m³/s。在現(xiàn)有的檢漏技術(shù)中，基于氦質(zhì)譜分析的檢漏方法是檢測(cè)靈敏度最高的。

氦質(zhì)譜檢漏方法主要用于檢測(cè)被檢件密封性要求較高的工作，因此其檢測(cè)精度要求較高，且檢測(cè)結(jié)果可靠。由于氦質(zhì)譜檢漏儀僅能給出示蹤氣體的電流，需要一種標(biāo)準(zhǔn)漏孔來校準(zhǔn)被檢件的實(shí)際漏率，因此標(biāo)準(zhǔn)漏孔是真空科學(xué)技術(shù)及其應(yīng)用領(lǐng)域一種必不可少的計(jì)量器具，其作用類似于天平的砝碼。質(zhì)譜檢漏儀在檢漏系統(tǒng)中的作用相當(dāng)于天平，為了避免檢漏儀線性造成的誤差，在檢漏過程中要求標(biāo)準(zhǔn)漏孔的漏率與被測(cè)產(chǎn)品漏率的偏差不超過一個(gè)量級(jí)。目前，超靈敏度密封測(cè)試中，標(biāo)準(zhǔn)漏孔漏率比被測(cè)產(chǎn)品漏率大三個(gè)量級(jí)以上，顯著提高了檢漏結(jié)果的不確定度。由于目前使用的標(biāo)準(zhǔn)漏孔下限只能達(dá)到10^-10Pa.m³/s，隨著微電子元器件密封性能指標(biāo)的不斷提高，標(biāo)準(zhǔn)漏孔帶來的不確定度影響日將趨嚴(yán)重。

為了獲得極小的已知漏率，現(xiàn)在的方法是玻璃鉑絲漏孔上游施加1％He-99％N₂混合氣體，也就是說在提供10^-15Pa·m³/s標(biāo)準(zhǔn)He流量的同時(shí)給系統(tǒng)引入了10^-13Pa·m³/s流量的N₂，給超高真空獲得系統(tǒng)帶來了額外氣體負(fù)荷。因此，此方案一般只適用于實(shí)驗(yàn)室微小漏率檢漏使用。

有鑒于此，有必要提供一種真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔，可提供穩(wěn)定的極小漏率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種極小漏率真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔，為實(shí)現(xiàn)超靈敏度檢漏工作提供標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)裝置。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明所提供的一種極小漏率真空標(biāo)準(zhǔn)漏孔，采用了如下的技術(shù)方案：