[發明專利]制膜方法

在審

• 申請號: 201810924008.5
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN110819948A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 張同文;羅建恒;耿波;武學偉
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明提供一種制膜方法，其包括：第一濺射階段，向靶材加載射頻功率，以在晶片表面上形成保護層；第二濺射階段，同時向靶材加載射頻功率和直流功率，以在保護層上形成薄膜。本發明提供的制膜方法，其可以減少對晶片表面造成損傷，從而可以提高產品性能。

技術領域

本發明涉及薄膜制造領域，具體地，涉及一種制膜方法。

背景技術

近年來，由于發光二極管(LED)的巨大市場需求，GaN基LED被廣泛應用于大功率照明燈、汽車儀表顯示、大面積的戶外顯示屏、信號燈，以及普通照明等的不同領域。在LED芯片制造過程中，由于P型GaN的低摻雜和P型歐姆金屬接觸的低透光率會引起較高接觸電阻和低透光率，嚴重影響了LED芯片的整體性能的提高。為了提高出光效率和降低接觸電阻，開發適用于P型GaN的透明導電薄膜的研究顯得尤為重要。ITO薄膜作為一種透明導電薄膜與傳統的金屬薄膜相比具有可見光透過率高、導電性好、抗磨損、耐腐蝕等的優點，而且ITO薄膜和GaN之間的粘附性較好。因此，ITO薄膜被廣泛應用于GaN基芯片的電極材料。

ITO薄膜的制備方法有很多，例如噴涂法、化學氣相沉積、蒸發鍍膜、磁控濺射法等。在這些方法中，采用磁控濺射方法制備的ITO薄膜具有較低的電阻率、較高的可見光透過率以及較高的重復性。現有的ITO薄膜的制備方法具體為：向反應腔室內通入工藝氣體(例如Ar)，并向靶材加載射頻功率，以激發工藝氣體形成等離子體，然后在繼續向靶材加載射頻功率的同時，向靶材加載直流功率，等離子體在電場的牽引下轟擊靶材，使靶材材料濺射到晶片表面上，從而形成ITO薄膜。

但是，由于上述制膜方法使用射頻(RF)+直流(DC)共同濺射，這會使得自靶材濺射出的靶材材料的能量較大，在靶材材料濺射到晶片表面上時，會對晶片上的GaN造成損傷，從而導致產品的VF(正向電壓)值升高，Iv(發光強度)值降低，進而造成產品性能下降。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種制膜方法，其可以減少對晶片表面造成損傷，從而可以提高產品性能。

為實現本發明的目的而提供一種制膜方法，包括：

第一濺射階段，向靶材加載射頻功率，以在晶片表面上形成保護層；

第二濺射階段，同時向所述靶材加載射頻功率和直流功率，以在所述保護層上形成薄膜。

可選的，所述第一濺射階段包括以下步驟：

S1，向反應腔室通入工藝氣體，直至工藝氣壓達到第一預設值，且使工藝氣壓保持在所述第一預設值；所述工藝氣體的流量為第一流量值；

S2，向所述靶材加載射頻功率進行等離子體啟輝；

S3，保持向所述靶材加載射頻功率，以在所述晶片表面上形成所述保護層。

可選的，在所述步驟S2之后還包括：

降低工藝氣壓至第二氣壓值。

可選的，在所述步驟S2之后還包括：

降低所述工藝氣體的流量至第二流量值。

可選的，所述第二濺射階段包括以下步驟：

S4，保持向所述靶材加載射頻功率，并提高所述工藝氣體的流量至第三流量值，同時向所述靶材加載直流功率；

S5，降低所述工藝氣體的流量至第四流量值，同時保持向所述靶材加載射頻功率和直流功率，以在所述保護層上形成所述薄膜。

可選的，射頻功率的取值范圍在50W～1000W。

可選的，直流功率的取值范圍在10W～1000W。

可選的，所述工藝氣體的流量的取值范圍在10sccm～200sccm。