[發明專利]制膜方法

在審

• 申請號: 201810924008.5
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN110819948A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 張同文;羅建恒;耿波;武學偉
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種制膜方法，其特征在于，包括：

第一濺射階段，向靶材加載射頻功率，以在晶片表面上形成保護層；

第二濺射階段，同時向所述靶材加載射頻功率和直流功率，以在所述保護層上形成薄膜。

2.根據權利要求1所述的制膜方法，其特征在于，所述第一濺射階段包括以下步驟：

S1，向反應腔室通入工藝氣體，直至工藝氣壓達到第一預設值，且使工藝氣壓保持在所述第一預設值；所述工藝氣體的流量為第一流量值；

S2，向所述靶材加載射頻功率進行等離子體啟輝；

S3，保持向所述靶材加載射頻功率，以在所述晶片表面上形成所述保護層。

3.根據權利要求2所述的制膜方法，其特征在于，在所述步驟S2之后還包括：

降低工藝氣壓至第二氣壓值。

4.根據權利要求2所述的制膜方法，其特征在于，在所述步驟S2之后還包括：

降低所述工藝氣體的流量至第二流量值。

5.根據權利要求2所述的制膜方法，其特征在于，所述第二濺射階段包括以下步驟：

S4，保持向所述靶材加載射頻功率，并提高所述工藝氣體的流量至第三流量值，同時向所述靶材加載直流功率；

S5，降低所述工藝氣體的流量至第四流量值，同時保持向所述靶材加載射頻功率和直流功率，以在所述保護層上形成所述薄膜。

6.根據權利要求1至5任一項所述的制膜方法，其特征在于，射頻功率的取值范圍在50W～1000W。

7.根據權利要求1至5任一項所述的制膜方法，其特征在于，直流功率的取值范圍在10W～1000W。

8.根據權利要求2至5任一項所述的制膜方法，其特征在于，所述工藝氣體的流量的取值范圍在10sccm～200sccm。

9.根據權利要求1至5任一項所述的制膜方法，其特征在于，所述保護層的厚度的取值范圍在10A～1000A。

10.根據權利要求1至5任一項所述的制膜方法，其特征在于，所述薄膜的厚度的取值范圍在300A～20000A。