[發(fā)明專利]一種新的多晶鍍膜異常片返工的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810921899.9 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109216503A | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊飛飛;焦朋府;趙彩霞;孟漢堃;張雁東;崔龍輝;張波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 去膜 鍍膜 硅片 多晶 返工 氫氟酸 體積比 烘干 堿洗 絲印 酸洗 保留 | ||
1.一種新的多晶鍍膜異常片返工的方法,其特征在于:當(dāng)硅片的膜厚度大于等于65納米小于等于85納米時(shí),屬于正常厚度膜硅片,不需要進(jìn)行PSG去膜,當(dāng)膜厚度小于65納米或者大于等于85納米時(shí),屬于異常厚度膜硅片即異常片,對(duì)異常片返工時(shí),按照PSG去膜→鍍膜→絲印步驟進(jìn)行,PSG去膜為將異常片放在體積比為8%的氫氟酸中酸洗,使膜厚度變?yōu)?-10納米,然后進(jìn)行水洗、烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新的多晶鍍膜異常片返工的方法,其特征在于:由于鍍膜后膜越后顏色越淺,因此可以通過顏色來確定膜的厚度,首先對(duì)鍍膜后不同厚度的膜進(jìn)行CCD相機(jī)拍照,將相片顏色與對(duì)應(yīng)膜厚度輸入數(shù)據(jù)庫中,然后通過CCD相機(jī)對(duì)硅片進(jìn)行拍照,將獲得的相片與數(shù)據(jù)庫中相片進(jìn)行對(duì)比檢測,得出膜的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





