[發明專利]一種新的多晶鍍膜異常片返工的方法

在審

• 申請號: 201810921899.9
• 申請日: 2018-08-11
• 公開（公告）號: CN109216503A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 楊飛飛;焦朋府;趙彩霞;孟漢堃;張雁東;崔龍輝;張波
• 申請（專利權）人: 山西潞安太陽能科技有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

本發明涉及多晶鍍膜領域。一種新的多晶鍍膜異常片返工的方法，當硅片的膜厚度大于等于65納米小于等于85納米時，屬于正常厚度膜硅片，不需要進行PSG去膜，當膜厚度小于65納米或者大于等于85納米時，屬于異常厚度膜硅片即異常片，對異常片返工時，按照PSG去膜→鍍膜→絲印步驟進行，PSG去膜為將異常片放在體積比為8%的氫氟酸中酸洗，使膜厚度變為1?10納米，然后進行水洗、烘干。本發明通過在PSG去膜時不完全去膜，且保留膜的厚度不影響后續鍍膜，從而避免了PSG去膜時對硅片的直接損壞，也避免了后續堿洗相關步驟，節省了成本，提高了效益。

技術領域

本發明涉及多晶鍍膜領域。

背景技術

普通電池鍍膜異常返洗工藝是電池制造過程的比較重要的返工工藝，通常的鍍膜異常返工流程為：PSG去膜→清洗（堿洗）→擴散→濕法切邊→鍍膜→絲印，此返工流程比正常電池鍍膜工藝復雜，且由于多次刻蝕，導致硅片較薄，容易出現碎片率超標。

PSG去膜即對鍍膜后異常電池片（異常片）去膜，需要使用HF酸液體酸洗，氫氟酸本身與氮化硅膜反應生成溶于水的物質，從而達到去膜的目的，但由于膜厚的差異性，在固定濃度氫氟酸藥液中，去膜時間長短不一，在去膜后硅片在氫氟酸藥液停留時間過長，硅與氫氟酸反應會在硅片表面形成腐蝕坑，顏色為偏黃色，稱之為多孔硅。由于多孔硅電阻率高，不利于電池后期的制作，因此正常返工工藝在去膜后需要利用堿洗去除多孔硅。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：如何簡略多晶鍍膜異常片返工步驟，同時滿足再次鍍膜需求。

本發明所采用的技術方案是：一種新的多晶鍍膜異常片返工的方法，當硅片的膜厚度大于等于65納米小于等于85納米時，屬于正常厚度膜硅片，不需要進行PSG去膜，當膜厚度小于65納米或者大于等于85納米時，屬于異常厚度膜硅片即異常片，對異常片返工時，按照PSG去膜→鍍膜→絲印步驟進行，PSG去膜為將異常片放在體積比為8%的氫氟酸中酸洗，使膜厚度變為1-10納米，然后進行水洗、烘干。

作為一種優選方式：由于鍍膜后膜越后顏色越淺，因此可以通過顏色來確定膜的厚度，首先對鍍膜后不同厚度的膜進行CCD相機拍照，將相片顏色與對應膜厚度輸入數據庫中，然后通過CCD相機對硅片進行拍照，將獲得的相片與數據庫中相片進行對比檢測，得出膜的厚度。

本發明的有益效果是：本發明通過在PSG去膜時不完全去膜，且保留膜的厚度不影響后續鍍膜，從而避免了PSG去膜時對硅片的直接損壞，也避免了后續堿洗相關步驟，節省了成本，提高了效益。

具體實施方式

采用CCD相機對鍍膜后的電池片（硅片）進行檢測，CCD相機數據庫中包含間隔1納米厚度的膜厚為0-150納米的電池片標準數據，然后通過機械手挑選出膜厚度小于65納米或者大于等于85納米的電池片即異常片進行返工處理，返工處理首先在體積比為8%的氫氟酸中酸洗，同時通過CCD相機對酸洗中的膜的厚度進行檢測，當膜的厚度為1-10納米通過機械手取出，并用鼓泡水洗3分鐘，溢流清洗2min，熱水清洗1min，然后烘干，送至鍍膜設備鍍膜，然后印刷電極（絲印）。