[發(fā)明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810921324.7 | 申請日： | 2018-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN109390229B | 公開（公告）日： | 2023-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 江藤隆紀(jì);澤田石真之 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/67;H01L21/768;H01L21/822;H10B41/27;H10B43/27;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 處理 方法 裝置 | ||
1.一種等離子體處理方法，其特征在于：
對配置有多層膜的處理容器內(nèi)供給至少含有氟碳系氣體、氧氣、氮?dú)夂虲O的處理氣體，其中，該多層膜至少具有氧化層、比該氧化層的上表面在疊層方向上配置于下方的鎢層和配置于所述氧化層的上表面的掩模層，
在供給了所述處理氣體的處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體，對所述多層膜進(jìn)行蝕刻，
所述處理氣體中，作為氟碳系氣體，含有C4F6氣體，
相對于C4F6氣體的流量，所述CO的流量為9.3倍～13倍的范圍。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：
所述處理氣體還含有稀有氣體，
相對于所述稀有氣體和所述CO的合計流量，所述CO的流量為55％以上。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理方法，其特征在于：
相對于所述稀有氣體和所述CO的合計流量，所述CO的流量為71％以上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：
相對于所述處理氣體的總流量，所述CO的流量為72％以上。
5.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具有：
配置多層膜的處理容器，該多層膜至少具有氧化層、比該氧化層的上表面在疊層方向上配置于下方的鎢層和配置于所述氧化層的上表面的掩模層；
對所述處理容器內(nèi)供給至少含有氟碳系氣體、氧氣、氮?dú)夂虲O的處理氣體的供給部；和
在供給了所述處理氣體的處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體并對所述多層膜進(jìn)行蝕刻的等離子體產(chǎn)生部，
所述處理氣體中，作為氟碳系氣體，含有C4F6氣體，
相對于C4F6氣體的流量，所述CO的流量為9.3倍～13倍的范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
