[發(fā)明專利]集成電路器件及制造其的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810921240.3
• 申請(qǐng)日: 2018-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN109698164A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸碩漢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種集成電路器件，包括：

導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)，其包括沿第一水平方向在襯底上延伸的導(dǎo)電線和覆蓋所述導(dǎo)電線的絕緣蓋圖案；以及

絕緣間隔物，其包括接觸所述導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的內(nèi)間隔物和在所述內(nèi)間隔物上的燒焦物間隔物，所述燒焦物間隔物面對(duì)所述導(dǎo)電線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述燒焦物間隔物的頂表面高于所述導(dǎo)電線的頂表面并且低于所述絕緣蓋圖案的頂表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述燒焦物間隔物包括烴聚合物燒焦物，并且所述燒焦物間隔物基于所述燒焦物間隔物的總重量包括70到90重量百分比的碳和10到30重量百分比的氫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述絕緣間隔物還包括與所述導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)間隔開的第一絕緣間隔物，所述第一絕緣間隔物接觸所述內(nèi)間隔物和所述燒焦物間隔物，以及

所述燒焦物間隔物具有比所述內(nèi)間隔物和所述第一絕緣間隔物更低的電容率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路器件，其中所述內(nèi)間隔物包括硅氮化物膜，并且所述第一絕緣間隔物包括硅氧化物膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述絕緣間隔物還包括第一絕緣間隔物，所述第一絕緣間隔物覆蓋所述導(dǎo)電線的側(cè)壁且其間具有所述燒焦物間隔物，所述第一絕緣間隔物包括接觸所述內(nèi)間隔物的第一部分、接觸所述燒焦物間隔物的第二部分、以及覆蓋所述燒焦物間隔物的頂表面的臺(tái)階部分，所述臺(tái)階部分在所述第一部分與所述第二部分之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述絕緣間隔物還包括第一絕緣間隔物和第二絕緣間隔物，所述第一絕緣間隔物覆蓋所述導(dǎo)電線的側(cè)壁且其間具有所述燒焦物間隔物，所述第二絕緣間隔物覆蓋所述燒焦物間隔物的側(cè)壁且其間具有所述第一絕緣間隔物，以及

所述第一絕緣間隔物包括與所述第二絕緣間隔物不同的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述燒焦物間隔物在垂直方向上朝向所述襯底延伸到低于所述襯底的頂表面的水平。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，還包括接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)面對(duì)所述導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)且其間具有所述絕緣間隔物，

其中所述接觸結(jié)構(gòu)的第一部分在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上具有第一寬度，所述第一部分面對(duì)所述燒焦物間隔物，所述接觸結(jié)構(gòu)的第二部分在所述第二水平方向上具有大于所述第一寬度的第二寬度，所述第二部分高于所述燒焦物間隔物的頂表面。

10.一種集成電路器件，包括：

一對(duì)導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)，每個(gè)導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)包括沿第一水平方向在襯底上延伸的導(dǎo)電線和覆蓋所述導(dǎo)電線的絕緣蓋圖案；

在所述對(duì)導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)之間在一條線上的多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)；以及

在所述對(duì)導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)絕緣間隔物，

其中所述多個(gè)絕緣間隔物中的每個(gè)絕緣間隔物包括內(nèi)間隔物和在所述內(nèi)間隔物上的燒焦物間隔物，所述內(nèi)間隔物接觸所述多個(gè)導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)中的一個(gè)導(dǎo)電線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路器件，其中所述多個(gè)絕緣間隔物包括第一絕緣間隔物和第二絕緣間隔物，所述第二絕緣間隔物與所述第一絕緣間隔物間隔開并且其間具有所述多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)，以及

所述多個(gè)絕緣間隔物中的至少一個(gè)的所述燒焦物間隔物在垂直方向上朝向所述襯底延伸到低于所述襯底的頂表面的水平。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路器件，其中所述燒焦物間隔物基于所述燒焦物間隔物的總重量包括70到90重量百分比的碳、10到30重量百分比的氫和0到10重量百分比的額外組分，以及

當(dāng)存在所述額外組分時(shí)，所述額外組分包括從鹵素、氮(N)、氧(O)、硫(S)、磷(P)、鈉(Na)、鎂(Mg)、錳(Mn)、硅(Si)、鐵(Fe)及其組合當(dāng)中選擇的至少一種。