[發(fā)明專利]具有交叉點存儲陣列的存儲器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810921238.6 | 申請日： | 2018-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN109768158A | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭智賢;姜大煥;金杜應(yīng);李光振 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 位線 字線 方向延伸 位線接觸 存儲器件 連接結(jié)構(gòu) 交叉點存儲陣列 第二存儲單元 存儲單元 垂直地 襯底 | ||
一種存儲器件包括在襯底上沿第一方向延伸的第一字線、在第一字線上沿第二方向延伸的第一位線、設(shè)置在第一字線與第一位線之間的第一存儲單元、在第一位線上沿第一方向延伸的第二字線、在第二字線上沿第二方向延伸的第二位線、設(shè)置在第二字線與第二位線之間的第二存儲單元、以及連接到第一位線和第二位線的第一位線連接結(jié)構(gòu)。第一位線連接結(jié)構(gòu)包括連接到第一位線的第一位線接觸以及連接到第二位線并垂直地重疊第一位線接觸的第二位線接觸。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思涉及存儲器件，更具體地，涉及具有交叉點陣列結(jié)構(gòu)的存儲器件。
背景技術(shù)
隨著電子產(chǎn)品的減輕、纖薄、縮短和小型化趨勢，對高度集成的存儲器件的需求正在增加。此外，已經(jīng)提出了其中存儲單元位于兩個相交電極之間的交叉點處的具有三維(3D)交叉點結(jié)構(gòu)的存儲器件。然而，隨著具有交叉點結(jié)構(gòu)的存儲器件的集成度持續(xù)增加，可能發(fā)生由構(gòu)造每個存儲器件的各存儲單位的位置造成的電特性差異。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思提供了在其中的存儲單位之間具有高度均勻的操作特性的交叉點陣列類型的存儲器件。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式，提供了一種存儲器件，其包括：在襯底上沿第一方向延伸的第一字線；在第一字線上的第一位線，第一位線在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及在第一字線與第一位線之間的第一存儲單元。第一存儲單元包括第一存儲單位和第一開關(guān)單位。還提供了在第一位線上的第二字線(第二字線在第一方向上延伸)、在第二字線上的第二位線(第二位線在第二方向上延伸)、以及在第二字線與第二位線之間延伸的第二存儲單元。第二存儲單元包括第二存儲單位和第二開關(guān)單位。提供了第一位線連接結(jié)構(gòu)，其連接到第一位線和第二位線。第一位線連接結(jié)構(gòu)包括連接到第一位線的第一位線接觸以及連接到第二位線并設(shè)置為至少部分垂直地重疊第一位線接觸的第二位線接觸。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實施方式，提供了一種存儲器件，其包括：在襯底上沿第一方向延伸的多個第一字線；在所述多個第一字線上的多個第一位線，所述多個第一位線在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及在所述多個第一字線與所述多個第一位線之間的多個第一存儲單元。所述多個第一存儲單元的每個包括第一存儲單位和第一開關(guān)單位。(在第一方向上延伸的)多個第二字線提供在所述多個第一位線上，(在第二方向上延伸的)多個第二位線提供在所述多個第二字線上。多個第二存儲單元提供在所述多個第二字線與所述多個第二位線之間。所述多個第二存儲單元的每個包括第二存儲單位和第二開關(guān)單位。提供了電連接到所述多個第一位線和所述多個第二位線的多個第一位線連接結(jié)構(gòu)。所述多個第一位線連接結(jié)構(gòu)的每個的至少一部分設(shè)置在所述多個第一位線中的對應(yīng)第一位線與所述多個第二位線中的對應(yīng)第二位線之間。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實施方式，提供了一種存儲器件，其包括：在襯底上沿第一方向延伸的第一字線；在第一字線上的第一位線，第一位線在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及在第一字線與第一位線之間的第一存儲單元。第一存儲單元包括第一存儲單位和第一開關(guān)單位。(在第一方向上延伸的)第二字線提供在第一位線上，(在第二方向上延伸的)第二位線提供在第二字線上。第二存儲單元提供在第二字線與第二位線之間。第二存儲單元包括第二存儲單位和第二開關(guān)單位。提供了第一位線連接結(jié)構(gòu)，其包括設(shè)置在第一位線之下的第一位線接觸以及設(shè)置在第一位線與第二位線之間并垂直地重疊第一位線接觸的第二位線接觸。
附圖說明
本發(fā)明構(gòu)思的實施方式將由以下結(jié)合附圖的詳細描述被更清楚地理解，附圖中：
圖1是根據(jù)示例性實施方式的存儲器件的等效電路圖；
圖2是示出根據(jù)示例性實施方式的存儲器件的代表性構(gòu)造的布局圖；
圖3是沿圖2的線A1-A1'截取的剖視圖；
圖4是沿圖2的線B1-B1'截取的剖視圖；
圖5是示出根據(jù)示例性實施方式的存儲器件的剖視圖；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會社，未經(jīng)三星電子株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810921238.6/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
