[發(fā)明專利]具有交叉點存儲陣列的存儲器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810921238.6 | 申請日： | 2018-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN109768158A | 公開（公告）日： | 2019-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭智賢;姜大煥;金杜應(yīng);李光振 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 位線 字線 方向延伸 位線接觸 存儲器件 連接結(jié)構(gòu) 交叉點存儲陣列 第二存儲單元 存儲單元 垂直地 襯底 | ||
1.一種存儲器件，包括：
在襯底上的第一字線；
在所述第一字線上的第一位線；
在所述第一位線上的第二字線；
在所述第二字線上的第二位線；
第一存儲單元，其在所述第一字線與所述第一位線之間延伸；
第二存儲單元，其在所述第二字線與所述第二位線之間延伸；以及
第一位線連接結(jié)構(gòu)，其包括連接到所述第一位線的第一位線接觸以及連接到所述第二位線并且至少部分垂直地重疊所述第一位線接觸的第二位線接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一存儲單元包括第一存儲單位和第一開關(guān)單位，所述第二存儲單元包括第二存儲單位和第二開關(guān)單位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述第一存儲單元和所述第二存儲單元分別是第一非易失性存儲單元和第二非易失性存儲單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述第一字線和所述第二字線在跨越所述襯底的第一方向上延伸；以及其中所述第一位線和所述第二位線在跨越所述襯底的第二方向上延伸，所述第二方向大體垂直于所述第一方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器件，其中所述第一位線接觸和所述第二位線接觸彼此垂直地對準。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一位線接觸在所述襯底與所述第一位線之間延伸，所述第二位線接觸在所述第一位線與所述第二位線之間延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一位線接觸在所述第一位線與所述第二位線之間延伸，所述第二位線接觸設(shè)置在所述第二位線上。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述第一開關(guān)單位設(shè)置在所述第一字線上，并且所述第一存儲單位在所述第一開關(guān)單位與所述第一位線之間延伸；以及其中所述第二開關(guān)單位設(shè)置在所述第二字線上，并且所述第二存儲單位在所述第二開關(guān)單位與所述第二位線之間延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述第一存儲單位設(shè)置在所述第一字線上，并且所述第一開關(guān)單位在所述第一存儲單位與所述第一位線之間延伸；以及其中所述第二存儲單位設(shè)置在所述第二字線上，并且所述第二開關(guān)單位在所述第二存儲單位與所述第二位線之間延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述第一存儲單位包括具有L形剖面的第一加熱電極和設(shè)置在所述第一加熱電極上的第一可變電阻層；其中所述第二存儲單位包括具有L形剖面的第二加熱電極和設(shè)置在所述第二加熱電極上的第二可變電阻層。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器件，其中所述第一存儲單位包括第一可變電阻層和設(shè)置在所述第一可變電阻層的側(cè)壁上的第一間隔物；其中所述第二存儲單位包括第二可變電阻層和設(shè)置在所述第二可變電阻層的側(cè)壁上的第二間隔物；以及其中所述第一可變電阻層的上表面的寬度與所述第二可變電阻層的上表面的寬度基本相同。
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