[發(fā)明專利]一種晶圓烘烤裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810920316.0
• 申請日: 2018-08-14
• 公開（公告）號: CN110828328A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;劉兵

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域，公開了一種晶圓烘烤裝置，包括：加熱腔室，用于容納晶圓；加熱盤，設(shè)置于所述加熱腔室的底部，用于加熱所述晶圓；封蓋，設(shè)置于所述加熱腔室的頂部，用于封閉所述加熱腔室；排氣管，連接于所述封蓋并與所述加熱腔室連通；超聲波振蕩器，包括設(shè)置于所述封蓋內(nèi)側(cè)的多個超聲波發(fā)生器和多個換能器，所述超聲波發(fā)生器驅(qū)動所述換能器而產(chǎn)生振蕩氣體。該晶圓烘烤裝置通過設(shè)置超聲波振蕩器以產(chǎn)生振蕩氣體，使得附著在加熱腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通過排氣管將振落的粉末從加熱腔室中排出，從而避免了粉末造成晶圓蝕刻的圖案異常的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)領(lǐng)域，具體地涉及晶圓烘烤裝置。

背景技術(shù)

晶圓在烘烤的過程中會產(chǎn)生大量的粉末，這些粉末經(jīng)常會粘附在加熱腔室的內(nèi)部。當(dāng)晶圓完成烘烤后，這些粉末很容易在加熱腔室打開以及晶圓被移出加熱腔室的過程中落在晶圓上。表面有粉末的晶圓在經(jīng)過蝕刻后會出現(xiàn)圖案異常的問題，造成晶圓質(zhì)量出現(xiàn)缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的晶圓烘烤過程中表面容易沾染粉末的問題，提供一種晶圓烘烤裝置，該晶圓烘烤裝置通過設(shè)置超聲波振蕩器以產(chǎn)生振蕩氣體，使得附著在加熱腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通過排氣管將振落的粉末從加熱腔室中排出，從而避免了粉末造成晶圓蝕刻的圖案異常的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實施方式提供了一種晶圓烘烤裝置，其特征在于，包括：

加熱腔室，用于容納晶圓；

加熱盤，設(shè)置于所述加熱腔室的底部，用于加熱所述晶圓；

封蓋，設(shè)置于所述加熱腔室的頂部，用于封閉所述加熱腔室；

排氣管，連接于所述封蓋并與所述加熱腔室連通；

超聲波振蕩器，包括設(shè)置于所述封蓋內(nèi)側(cè)的多個超聲波發(fā)生器和多個換能器，所述超聲波發(fā)生器驅(qū)動所述換能器而產(chǎn)生振蕩氣體。

優(yōu)選地，所述超聲波發(fā)生器和所述換能器均為環(huán)繞設(shè)置，兩者的中心與所述封蓋的中心重合。

優(yōu)選地，所述換能器的振蕩頻率范圍介于25KHz至5MHz。

優(yōu)選地，每個所述換能器的直徑范圍介于5至30mm，長度范圍介于5至45mm。

優(yōu)選地，所述封蓋的內(nèi)側(cè)的邊緣設(shè)置有多個吹氣口，用于對所述加熱腔室通入吹掃氣體；所述排氣管的吸氣口位于所述封蓋的內(nèi)側(cè)中心。

優(yōu)選地，由所述吹氣口的吹掃氣體的氣體流量范圍介于20至50L/min，吹掃頻率范圍介于5至30秒/次。

優(yōu)選地，每個所述吹氣口的直徑范圍介于1至5mm。

優(yōu)選地，所述加熱腔室的底部設(shè)置有減振器。

優(yōu)選地，所述加熱腔室的底部設(shè)置有多個頂升柱，用于引導(dǎo)所述晶圓下降及頂升所述晶圓。

優(yōu)選地，所述排氣管的一端設(shè)置有吸氣泵，所述吸氣泵的吸氣流量范圍介于30至120L/min。

優(yōu)選地，所述加熱腔室設(shè)置于一載臺的一側(cè)上，所述載臺的另一側(cè)上設(shè)置有冷卻盤。

通過上述技術(shù)方案，本發(fā)明的實施方式提供的晶圓烘烤裝置通過設(shè)置超聲波振蕩器以產(chǎn)生振蕩氣體，使得附著在加熱腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通過排氣管將振落的粉末從加熱腔室中排出，從而避免了粉末造成晶圓蝕刻的圖案異常的問題。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式提供的晶圓烘烤裝置的結(jié)構(gòu)示意圖之一(封蓋閉合)；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施方式提供的晶圓烘烤裝置的封蓋的結(jié)構(gòu)示意圖之二(封蓋打開)；