[發明專利]一種晶圓烘烤裝置在審
| 申請號： | 201810920316.0 | 申請日： | 2018-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN110828328A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰濱;劉兵 |
| 地址： | 230601 安徽省經濟*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 烘烤 裝置 | ||
1.一種晶圓烘烤裝置，其特征在于，包括：
加熱腔室，用于容納晶圓；
加熱盤，設置于所述加熱腔室的底部，用于加熱所述晶圓；
封蓋，設置于所述加熱腔室的頂部，用于封閉所述加熱腔室；
排氣管，連接于所述封蓋并與所述加熱腔室連通；
超聲波振蕩器，包括設置于所述封蓋內側的多個超聲波發生器和多個換能器，所述超聲波發生器驅動所述換能器而產生振蕩氣體。
2.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述超聲波發生器和所述換能器均為環繞設置，兩者的中心與所述封蓋的中心重合。
3.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述換能器的振蕩頻率范圍介于25KHz至5MHz。
4.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，每個所述換能器的直徑范圍介于5至30mm，長度范圍介于5至45mm。
5.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述封蓋的內側的邊緣設置有多個吹氣口，用于對所述加熱腔室通入吹掃氣體；所述排氣管的吸氣口位于所述封蓋的內側中心。
6.根據權利要求5所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，由所述吹氣口的吹掃氣體的氣體流量范圍介于20至50L/min，吹掃頻率范圍介于5至30秒/次。
7.根據權利要求5所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，每個所述吹氣口的直徑范圍介于1至5mm。
8.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述加熱腔室的底部設置有減振器。
9.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述加熱腔室的底部設置有多個頂升柱，用于引導所述晶圓下降及頂升所述晶圓。
10.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述排氣管的一端設置有吸氣泵，所述吸氣泵的吸氣流量范圍介于30至120L/min。
11.根據權利要求1所述的晶圓烘烤裝置，其特征在于，所述加熱腔室設置于一載臺的一側上，所述載臺的另一側上設置有冷卻盤。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
